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硅片拋光一般采用堿性二氧化硅膠體化學機械拋光工藝，依次對硅片進行粗拋和精拋加工。為-拋光片的加工精度。拋光加工時應注意如下問題： 拋光前對硅片進行腐蝕后按厚度分檔上機拋光。拋光前的工藝過程中須留有足夠的可加工余量，以-去除硅片表面的機械損傷。

 單晶硅與多晶硅的區(qū)別在于它們的原子結構排列  單晶是有序排列 多晶是無序排列 主要是有它們的加工工藝決定的  多晶多采用澆注法生產，就是直接把硅料倒入堝中融化定型 而單晶是采取西門子法改良直拉，直拉過程就是一個原子結構重組的過程.

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