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新加坡振鑫控股（蘇州）有限公司硅片拋光工藝

一般來說 硅料回收，硅片需要經(jīng)過兩次拋光 半導體硅料回收，表面才能達到集成電路工藝的要求。-次拋光的目的是去除硅片表面殘留的機械損傷，一般要求從表面除去30um 厚度。第二次拋光的目的是去除-次拋光在硅片表面留下的輕微損傷和云霧狀缺陷，要求從表面除去2～3um。太陽能電池一般用-次拋光即可。