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硅是由石英砂所精練出來的，晶圓便是硅元素加以純化（99.999%），接著是將這些純硅制成硅晶棒，成為制造集成電路的石英半導(dǎo)體的材料，經(jīng)過照相制版，研磨，拋光，切片等程序，將多晶硅融解拉出單晶硅晶棒，然后切割成一片一片薄薄的晶圓。

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晶圓表面附著大約2um的al2o3和甘晶圓油混合液保護(hù)層，在制作前必須進(jìn)行化學(xué)刻蝕和表面清洗。由熱氧化法生成sio2 緩沖層，用來減小后續(xù)中si3n4對(duì)晶圓的應(yīng)力氧化技術(shù)：干法氧化si(固)+o2 à sio2(固)和濕法氧化si(固)+2h2o à sio2(固)+2h2。干法氧化通常用來形成 整張8寸藍(lán)膜，柵極二氧化硅膜，要求薄，界面能級(jí)和固定電荷密度低的薄膜。干法氧化成膜速度慢于濕法。濕法氧化通常用來形成作為器件隔離用的比較厚的二氧化硅膜。當(dāng)sio2膜較薄時(shí)，膜厚與時(shí)間成正比

sio2膜變厚時(shí)，膜厚與時(shí)間的平方根成正比。因而，要形成較厚sio2膜，需要較長(zhǎng)的氧化時(shí)間。sio2膜形成的速度取決于經(jīng)擴(kuò)散穿過sio2膜到達(dá)硅表面的o2及oh基等氧化劑的數(shù)量的多少。

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