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在米粒大的硅片上，已能集成16萬個(gè)晶體管。這是何等精細(xì)的工程！這是多學(xué)科協(xié)同努力的結(jié)晶，是科學(xué)技術(shù)進(jìn)步的又一個(gè)-。

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由熱氧化法生成sio2 緩沖層，用來減小后續(xù)中si3n4對(duì)晶圓的應(yīng)力氧化技術(shù)：干法氧化si(固)+o2 à sio2(固)和濕法氧化si(固)+2h2o à sio2(固)+2h2。干法氧化通常用來形成 收購8寸藍(lán)膜晶圓，柵極二氧化硅膜，要求薄，界面能級(jí)和固定電荷密度低的薄膜。干法氧化成膜速度慢于濕法。

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