進(jìn)口化學(xué)氣相沉積設(shè)備-沈陽鵬程公司-進(jìn)口化學(xué)氣相沉積設(shè)備公司

化學(xué)氣相沉積的特點

化學(xué)氣相沉積法之所以得到發(fā)展，是和它本身的特點分不開的，其特點如下。

i) 沉積物種類多: 可以沉積金屬薄膜、非金屬薄膜，也可以按要求制備多組分合金的薄膜，以及陶瓷或化合物層。

2) cvd反應(yīng)在常壓或低真空進(jìn)行，鍍膜的繞射性好，對于形狀復(fù)雜的表面或工件的深孔、細(xì)孔都能均勻鍍覆。

3) 能得到純度高、致密性好、殘余應(yīng)力小、結(jié)晶-的薄膜鍍層。由于反應(yīng)氣體、反應(yīng)產(chǎn)物和基體的相互擴(kuò)散，可以得到附著力好的膜層，這對表面鈍化、抗蝕及耐磨等表面增強膜是很重要的。

4) 由于薄膜生長的溫度比膜材料的熔點低得多，由此可以得到純度高、結(jié)晶完全的膜層，這是有些半導(dǎo)體膜層所必須的。

5) 利用調(diào)節(jié)沉積的參數(shù)，進(jìn)口化學(xué)氣相沉積設(shè)備公司，可以有效地控制覆層的化學(xué)成分、形貌、晶體結(jié)構(gòu)和晶粒度等。

6) 設(shè)備簡單、操作維修方便。

7) 反應(yīng)溫度太高，一般要850~ 1100℃下進(jìn)行，許多基體材料都耐受不住cvd的高溫。采用等離子或激光輔助技術(shù)可以降低沉積溫度。

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pcvd與傳統(tǒng)cvd技術(shù)的區(qū)別

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pcvd與傳統(tǒng)cvd技術(shù)的區(qū)別在于等離子體含有大量的高能量電子，這些電子可以提供化學(xué)氣相沉積過程中所需要的激發(fā)能，進(jìn)口化學(xué)氣相沉積設(shè)備價格，從而改變了反應(yīng)體系的能量供給方式。由于等離子體中的電子溫度-10000k，電子與氣相分子的碰撞可以促進(jìn)反應(yīng)氣體分子的化學(xué)鍵斷裂和重新組合，生成活性更高的化學(xué)基團(tuán)，同時整個反應(yīng)體系卻保持較低的溫度。這一特點使得原來需要在高溫下進(jìn)行的cvd過程得以在低溫下進(jìn)行。