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這兩個(gè)概念主要出半導(dǎo)體加工過(guò)程中,的半導(dǎo)體基片(襯底片)拋光沿用機(jī)械拋光、例如氧-、氧化-拋光等,但是得到的晶片表面損傷是極其-的。直到60年代末,一種新的拋光技術(shù)——化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)(cmp chemical mechanical polishing )取代了舊的方法。cmp技術(shù)綜合了化學(xué)和機(jī)械拋光的優(yōu)勢(shì):?jiǎn)渭兊幕瘜W(xué)拋光,拋-率較快,表面光潔度高,三酸拋光價(jià)格,損傷低,平整性好,但表面平整度和平行度差,拋光后表面一致性差;單純的機(jī)械拋光表面一致性好,表面平整度高,但表面光潔度差,三酸拋光銷售,損傷層深。化學(xué)機(jī)械拋光可以獲得較為平整的表面,又可以得到較高的拋-率,得到的平整度比其他方法高兩個(gè)數(shù)量級(jí),是能夠?qū)崿F(xiàn)全局平面化的有效方法。
cmp技術(shù)的概念是1965年由manto提出。該技術(shù)是用于獲取高的玻璃表面,如望遠(yuǎn)鏡等。1988年ibm開始將cmp技術(shù)運(yùn)用于4mdram 的制造中,三酸拋光廠家,而自從1991年ibm將cmp成功應(yīng)用到64mdram 的生產(chǎn)中以后,cmp技術(shù)在各地迅速發(fā)展起來(lái)。區(qū)別于傳統(tǒng)的純機(jī)械或純化學(xué)的拋光方法,cmp通過(guò)化學(xué)的和機(jī)械的綜合作用,從而避免了由單純機(jī)械拋光造成的表面損傷和由單純化學(xué)拋光易造成的拋-度慢、表面平整度和拋光一致性差等缺點(diǎn)。它利用了磨損中的“軟磨硬”原理,即用較軟的材料來(lái)進(jìn)行拋光以實(shí)現(xiàn)高的表面拋光。
陽(yáng)極氧化鋁板化學(xué)拋光中出現(xiàn)的缺陷及其糾正措施是在生產(chǎn)的發(fā)展過(guò)程中不斷總結(jié)完善的。 光亮度不足。這是化學(xué)拋光中較關(guān)心的事情。光亮度沒(méi)有達(dá)到預(yù)期的目標(biāo),其原因可從特殊鋁材的生產(chǎn)工藝和化學(xué)拋光工藝這兩方面分析。有關(guān)特殊鋁材的生產(chǎn)工藝已經(jīng)有詳細(xì)的論述。建議采用鋁純度99.70%及其以上級(jí)別的鋁錠,來(lái)生產(chǎn)特殊鋁材;鋁材加工工藝中控制為化學(xué)拋光得到高光亮度表面奠定基礎(chǔ);瘜W(xué)拋光后,具有-的光亮度。槽液控制中含量不足,會(huì)使表面光亮度不足,其表面可能過(guò)多地附著一層銅;含量太高,阜陽(yáng)三酸拋光,鋁材表面形成彩虹膜,會(huì)使表面模糊或不透明,還引起光亮度不足;化學(xué)拋光時(shí)間不足,溫度不夠,攪拌不充分,槽液老化等也會(huì)使化學(xué)拋光表面光亮度不足。槽液的相對(duì)密度較大,防止鋁材浮出拋光槽液的液面,致使上部鋁材光亮度不足。水的影響造成光亮度不足,往往容易被忽視。較-干燥的鋁材進(jìn)入化學(xué)拋光槽液,杜絕水分的帶入。
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