8寸藍膜、磅礴電子、整張8寸藍膜

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不同厚度的sio2膜，去除后的si表面的-也不同。sio2膜為透明 nazn整張8寸藍膜，通過光干涉來估計膜的厚度。這種干涉色的周期約為200nm 整張8寸藍膜回收，如果預告知道是幾次干涉 nann整張8寸藍膜，就能正確估計。對其他的透明薄膜，如知道其折射率，也可用公式計算出(dsio2)/(dox)=(nox)/(nsio2)。

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熱cvd法也可分成常壓和低壓。低壓cvd適用于同時進行多片基片的處理，壓力一般控制在0.25-2.0torr之間。作為柵電極的多晶硅通常利用hcvd法將sih4或si2h。氣體熱分解（約650oc）淀積而成。采用選擇氧化進行器件隔離時所使用的氮化硅薄膜也是用低壓cvd法，利用氨和sih4 或si2h6反應面生成的，作為層間絕緣的sio2薄膜是用sih4和o2在400--4500oc的溫度下形成sih4+o2-sio2+2h2或是用si(oc2h5)4(teos:tetra ethoxy silanc)和o2在750oc左右的高溫下反應生成的，后者即采用teos形成的sio2膜具有臺階側-被覆性能好的優(yōu)點。

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