8寸藍(lán)膜|8寸藍(lán)膜晶圓|磅礴電子

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熱cvd法也可分成常壓和低壓。低壓cvd適用于同時進(jìn)行多片基片的處理 nazn整張8寸藍(lán)膜，壓力一般控制在0.25-2.0torr之間。作為柵電極的多晶硅通常利用hcvd法將sih4或si2h。氣體熱分解（約650oc）淀積而成。采用選擇氧化進(jìn)行器件隔離時所使用的氮化硅薄膜也是用低壓cvd法 nann8寸藍(lán)膜，利用氨和sih4 或si2h6反應(yīng)面生成的，作為層間絕緣的sio2薄膜是用sih4和o2在400--4500oc的溫度下形成sih4+o2-sio2+2h2或是用si(oc2h5)4(teos:tetra ethoxy silanc)和o2在750oc左右的高溫下反應(yīng)生成的，后者即采用teos形成的sio2膜具有臺階側(cè)-被覆性能好的優(yōu)點。

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