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濕法氧化通常用來形成作為器件隔離用的比較厚的二氧化硅膜。當(dāng)sio2膜較薄時(shí)，膜厚與時(shí)間成正比。sio2膜變厚時(shí) 整張8寸藍(lán)膜晶圓回收，膜厚與時(shí)間的平方根成正比。

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由于離心力的作用，光刻膠在基片表面均勻地展開，多余的光刻膠被甩掉，獲得一定厚度的光刻膠膜，光刻膠的膜厚是由光刻膠的粘度和甩膠的轉(zhuǎn)-控制。所謂光刻膠，是對(duì)光、電子束或x線等敏感，具有在顯影液中溶解性的性質(zhì)，同時(shí)具有耐腐蝕性的材料。一般說來，正型膠的分辨率高 整張8寸藍(lán)膜，而負(fù)型膠具有感光度以及和下層的粘接性能好等特點(diǎn)。光刻工藝精細(xì)圖形(分辨率 8寸藍(lán)膜，清晰度)，以及與其他層的圖形有多高的位置吻合精度(套刻精度)來決定，因此有-的光刻膠，還要有好的-系統(tǒng)。

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