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這種軟開關(guān)方式可以顯著地減小開關(guān)損耗,以及開關(guān)過程中激起的振蕩,使開關(guān)頻率可以大幅度提高,為轉(zhuǎn)換器的小型化和模塊化創(chuàng)造 了條件。功率場效應管(mosfet)是應用較多的開關(guān)器件,它有較高的開關(guān)速度 四川電鍍電源公司,但同時也有較大的寄生電容。它關(guān)斷時 電鍍電源公司,在外電壓的作用下, 其寄生電容充滿電 云南電鍍電源公司,如果在其開通前不將這一部分電荷放掉,則將消耗于器件內(nèi)部,這就是容性開通損耗。為了減小或消除這種損耗,功率場 效應管宜采用零電壓開通方式(zvs)。絕緣柵雙極性晶體管(insu1ated gate bipo1ar tansistor,igbt)是一種復合開關(guān)器件,關(guān)斷時的電流拖 尾會導致較大的關(guān)斷損耗,如果在關(guān)斷前使流過它的電流降到零,則可以顯著地降低開關(guān)損耗,因此igbt宜采用零電流(zcs)關(guān)斷方式。igbt在 零電壓條件下關(guān)斷,同樣也能減小關(guān)斷損耗,但是mosfet在零電流條件下開通時,并不能減小容性開通損耗。諧振轉(zhuǎn)換器(resonantconverter ,rc)、準諧振轉(zhuǎn)換器(qunsi-tesonant converter,qrc)、多諧振轉(zhuǎn)換器(mu1ti-resonantconverter,mrc)、零電壓開關(guān)pwm轉(zhuǎn)換器(zvs pwm converter)、零電流開關(guān)pwm轉(zhuǎn)換器(zcs pwm converter)、零電壓轉(zhuǎn)換(zero-vo1tage-transition,zvt)pwm轉(zhuǎn)換器和零電流轉(zhuǎn)換(zero- vo1tage-transition,zvt)pwm轉(zhuǎn)換器等,均屬于軟開關(guān)直流轉(zhuǎn)換器。電力電子開關(guān)器件和零開關(guān)轉(zhuǎn)換器技術(shù)的發(fā)展 湖北電鍍電源公司,促使了高頻開關(guān)電源的發(fā)展。
直流電源波形對電鍍有-的影響,例如:高頻率定脈寬高頻穩(wěn)壓/穩(wěn)流脈沖電源電鍍時會產(chǎn)生特殊效應,這也是普通直流電源電鍍無法達到的效果,有些現(xiàn)象還不能用常規(guī)電化學理論來加以解釋。而直流波形對電鍍沉積的影響還難以從理論上進行預測,只能通過大量的試驗來作相對比較,篩選出適宜的波形。近幾年來新出現(xiàn)的零電壓轉(zhuǎn)換(zvt)和零電流轉(zhuǎn)換(zct)技術(shù),或者稱“軟開關(guān)”技術(shù),綜合了pwm 開關(guān)與諧振變換技術(shù)兩者的優(yōu)點:既有脈沖方波-傳遞功率和恒頻控制便于優(yōu)化參數(shù),又有諧振技術(shù)的低損耗和零電壓轉(zhuǎn)換的特點。這種“零開關(guān)”技術(shù)充分利用變壓器的漏感于功率管的輸出結(jié)電容之間的諧振,產(chǎn)生滿足零電壓導通和零電流截止的條件,在開關(guān)管導通時電壓為零,截止時流經(jīng)開關(guān)管的電流為零。因此-減少了功率管的開關(guān)電壓、電流應力和尖刺干擾,降低了功耗,開關(guān)效率明顯提高。
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