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退火爐是在半導體器件制造中使用的一種工藝,其包括加熱多個半導體晶片以影響其電性能。熱處理是針對不同的效果而設(shè)計的。可以加熱晶片以摻雜劑,將薄膜轉(zhuǎn)換成薄膜或?qū)⒈∧まD(zhuǎn)換成晶片襯底界面,使致密沉積的薄膜,改變生長的薄膜的狀態(tài),修復注入的損傷,移動摻雜劑或?qū)诫s劑從一個薄膜轉(zhuǎn)移到另一個薄膜或從薄膜進入晶圓襯底。退火爐可以集成到其他爐子處理步驟中,例如氧化,或者可以自己處理。退火爐是由專門為加熱半導體晶片而設(shè)計的設(shè)備完成的。退火爐是節(jié)能型周期式作業(yè)爐,超節(jié)能結(jié)構(gòu),采用纖維結(jié)構(gòu),四平燒結(jié)爐,節(jié)電60%。
高溫井式爐高溫井式爐是節(jié)能型周期作業(yè)井式電阻爐,溫度1200℃,工作溫度1200℃,主要供合金鋼、高速鋼、高錳鋼、高鉻鋼、軸類、管材等金屬材料和機械零件在一般氣氛或簡易保護中進行正火、退火、淬火等熱處理用。高溫井式爐的功率15-4900kw;爐膛直徑***300mm-***11m,-可達到48m。
高溫井式路產(chǎn)品特點:
高溫井式爐的結(jié)構(gòu),外殼由鋼板和型鋼制成圓柱形爐體,全部采用密封焊接。爐襯采用質(zhì)0.6g/cm3節(jié)能真空球耐火保溫磚砌筑。爐襯與爐殼夾層置酸鋁纖維氈保溫,間隙填充膨脹保溫粉。
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