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五、等離子刻蝕
硅片:硅單質(zhì)材料的片狀結(jié)構(gòu),厚度比較薄,主要有圓形和方形兩種結(jié)構(gòu),有單晶和多晶之分。單晶是具有固定晶向的結(jié)晶體材料,一般用作半導(dǎo)體集成電路的襯底,也用于制作太陽(yáng)能電池片。多晶是沒(méi)有統(tǒng)一固定晶向的晶體材料,一般用于太陽(yáng)能光伏發(fā)電,或者用于拉制單晶硅的原材料。單晶硅是一種優(yōu)良的高純半導(dǎo)體材料,ic級(jí)別的純度要求達(dá)到9n以上(99.9999999%),湘潭組件多少錢(qián),區(qū)熔單晶硅片甚至達(dá)到11n(99.999999999%)以上。通常通過(guò)直拉法(cz)和區(qū)熔法(fz)長(zhǎng)晶得到,其晶向通過(guò)籽晶來(lái)決定。單晶硅是目前重要的半導(dǎo)體材料,占據(jù)半導(dǎo)體材料市場(chǎng)的90%以上,是信息技術(shù)和集成電路的基礎(chǔ)材料。
隱裂、熱斑、pid效應(yīng),是影響晶硅光伏組件性能的三個(gè)重要因素。
4. 形成“隱裂”的原因
外力:電池片在焊接、層壓、裝框或搬運(yùn)、安裝、施工等過(guò)程中會(huì)受外力,當(dāng)參數(shù)設(shè)置不當(dāng)、設(shè)備故障或操作不當(dāng)時(shí)會(huì)造成隱裂。
高溫:電池片在低溫下沒(méi)有經(jīng)過(guò)預(yù)熱,路燈拆卸組件多少錢(qián),然后在短時(shí)間內(nèi)突然受到高溫后出現(xiàn)膨脹會(huì)造成隱裂現(xiàn)象,如焊接溫度過(guò)高、層壓溫度等參數(shù)設(shè)置不合理。
原材料:原材料的缺陷也是導(dǎo)致隱裂的主要因素之一。
電路板清洗技術(shù)
4、 溶劑清洗技術(shù)
溶劑清洗主要是利用了溶劑的溶解力除去污染物。采用溶劑清洗,由于其揮發(fā)快,溶解能力強(qiáng),層壓件組件多少錢(qián),故對(duì)設(shè)備要求簡(jiǎn)單。根據(jù)選用的清洗劑,可分為可燃性清洗劑和不可燃性清洗劑,前者主要包括有機(jī)烴類和醇類(如有機(jī)烴類、醇類、二醇酯類等),后者主要包括-烴和氟代烴類(如hcfc 和hfc 類)等。
hcfc 類清洗劑及其清洗工藝特點(diǎn)
這是一種含氫的氟氯烴,其蒸發(fā)潛熱小、揮發(fā)性好,在-中容易分解,光伏組件多少錢(qián),破壞臭氧層的作用比較小,屬于一種過(guò)渡性產(chǎn)品,規(guī)定在2040 年以前淘汰,所以,我們不使用該類清洗劑。
其存在的問(wèn)題主要有兩個(gè):一是過(guò)渡性。因?yàn)閷?duì)臭氧層還有破壞作用,只允許使用到 2040 年;二是價(jià)格比較高,清洗能力較弱,增加了清洗成本。
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