硅片光刻-云南光刻-半導(dǎo)體真空鍍膜加工廠

微納光刻加工廠——廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所是廣東省科學(xué)院下屬骨干研究院所之一，主要-半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的應(yīng)用技術(shù)研究，-重大技術(shù)應(yīng)用的基礎(chǔ)研究，立足于廣東省經(jīng)濟(jì)社會(huì)發(fā)展的實(shí)際需要，從事電子信息、半導(dǎo)體領(lǐng)域應(yīng)用基礎(chǔ)性、關(guān)鍵共性技術(shù)研究，以及行業(yè)應(yīng)用技術(shù)開發(fā)。

光刻涂膠四周呈現(xiàn)放i射性條紋，主要可能的原因是光刻膠有顆粒、襯底未清洗干凈，表面有顆粒、滴膠后精致時(shí)間過長(zhǎng)，微納光刻，部分光刻膠固話，解決的方法主要有更換光刻膠，使用新的光刻膠涂膠來測(cè)試一下、將襯底再清洗一次再涂膠、滴膠后馬上旋涂，以免光刻膠有所固化

光刻膠旋轉(zhuǎn)速度，速度越快，云南光刻，厚度越��；影響光刻膠均勻性的參數(shù)：旋轉(zhuǎn)加速度，加速越快越均勻；與旋轉(zhuǎn)加速的時(shí)間點(diǎn)有關(guān)。一般旋涂光刻膠的厚度與-的光源波長(zhǎng)有關(guān)（因?yàn)椴煌��?jí)別的-波長(zhǎng)對(duì)應(yīng)不同的光刻膠種類和分辨率）：i-line較厚，約0.7～3μm；krf的厚度約0.4～0.9μm；arf的厚度約0.2～0.5μm。軟烘方法：真空熱板，85～120c，30～60秒；目的：除去溶劑（4～7%）；增強(qiáng)黏附性；釋放光刻膠膜內(nèi)的應(yīng)力；防止光刻膠玷污設(shè)備；邊緣光刻膠的去除：光刻膠涂覆后，在硅片邊緣的正反兩面都會(huì)有光刻膠的堆積。

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微納光刻加工廠——廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所是廣東省科學(xué)院下屬骨干研究院所之一，主要-半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的應(yīng)用技術(shù)研究，-重大技術(shù)應(yīng)用的基礎(chǔ)研究，立足于廣東省經(jīng)濟(jì)社會(huì)發(fā)展的實(shí)際需要，從事電子信息、半導(dǎo)體領(lǐng)域應(yīng)用基礎(chǔ)性、關(guān)鍵共性技術(shù)研究，以及行業(yè)應(yīng)用技術(shù)開發(fā)。

影響光刻膠均勻性的參數(shù)：旋轉(zhuǎn)加速度，加速越快越均勻；

光刻是將掩模版上的圖形轉(zhuǎn)移到涂有光致抗蝕劑（或稱光刻膠）的襯底上，通過一系列生產(chǎn)步驟將硅片表面薄膜的特定部分除去的一種圖形轉(zhuǎn)移技術(shù)。光刻技術(shù)是借用照相技術(shù)、平板印刷技術(shù)的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的半導(dǎo)體關(guān)鍵工藝技術(shù)。

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