半導(dǎo)體材料刻蝕工藝-真空鍍膜實(shí)驗(yàn)室-湖南真空鍍膜

低壓氣相沉積真空鍍膜加工廠——廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所是廣東省科學(xué)院下屬骨干研究院所之一，主要-半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的應(yīng)用技術(shù)研究，真空鍍膜實(shí)驗(yàn)室，-重大技術(shù)應(yīng)用的基礎(chǔ)研究，立足于廣東省經(jīng)濟(jì)社會(huì)發(fā)展的實(shí)際需要，從事電子信息、半導(dǎo)體領(lǐng)域應(yīng)用基礎(chǔ)性、關(guān)鍵共性技術(shù)研究，湖南真空鍍膜，以及行業(yè)應(yīng)用技術(shù)開發(fā)。

 通過pecvd鍍膜原理的討論，以及后續(xù)實(shí)驗(yàn)的驗(yàn)證得出以下結(jié)論。1.硅片表面微觀結(jié)構(gòu)差異較-造成比表面積明顯差異，從而使氮化硅薄膜厚度產(chǎn)生-差異，表現(xiàn)出不同顏色，真空鍍膜加工，即色差。2.卡點(diǎn)的導(dǎo)電導(dǎo)熱性能發(fā)生較大改變時(shí)，原來的工藝難以匹配舊卡點(diǎn)。因此，舊卡點(diǎn)產(chǎn)生的色差片相對(duì)要多。3.溫度會(huì)影響氣體反應(yīng)速率。溫度高反應(yīng)劇烈，膜層生長(zhǎng)較快，溫度低反應(yīng)緩慢，膜層生長(zhǎng)較慢，那么，同一硅片就會(huì)產(chǎn)生色差。4.當(dāng)舟葉表面的平整度發(fā)生變化時(shí)，電場(chǎng)就會(huì)發(fā)生改變。因此，同一硅片的不同區(qū)域的氮化硅膜層生長(zhǎng)速度不同，從而產(chǎn)生色差。