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半導(dǎo)體芯片退火
半導(dǎo)體芯片在經(jīng)過離子注入以后就需要退火。因為往半導(dǎo)體中注入雜質(zhì)離子時,高能量的入射離子會與半導(dǎo)體晶格上的原子碰撞,使一些晶格原子發(fā)生位移,結(jié)果造成大量的空位,調(diào)質(zhì),將使得注入?yún)^(qū)中的原子排列混亂或者變成為非晶區(qū),所以在離子注入以后必須把半導(dǎo)體放在一定的溫度下進(jìn)行退火,以恢復(fù)晶體的結(jié)構(gòu)和消除缺陷。同時,退火還有施主和受主雜質(zhì)的功能,即把有些處于間隙位置的雜質(zhì)原子通過退火而讓它們進(jìn)入替代位置。退火的溫度一般為200~800c,汽配件調(diào)質(zhì),比熱擴(kuò)散摻雜的溫度要低得多。
?2?加入合金元素使鋼的表面形成一層穩(wěn)定的、完整的與鋼的基體結(jié)合牢固的純化
膜。從而提高鋼的耐化學(xué)腐蝕能力。如在鋼中加入 cr,si.al等合金元素 ?使鋼的表層形
成致密的cr2o3,sio2,al2o3等氧化膜 ?就可提高鋼的耐蝕性。
?3?加入合金元素使鋼在常溫時能以單相狀態(tài)存在?減少微電池數(shù)目從而提高鋼的
耐蝕性。如加入足夠數(shù)量的cr或cr?ni,使鋼在室溫下獲得單相鐵 素體或單相奧氏體。
?4?加入mo、cu等元素?提高鋼抗非氧化性酸腐蝕的能力。
?5?加入ti?nb等元素?消除cr的晶間偏析?從而減輕了晶問腐蝕傾向。
?6?加入mn、n等元素?代替部分ni獲得單相奧氏體組織?同時能-提高鉻不銹
鋼在有機(jī)酸中的耐蝕性。
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