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￥來(lái)電咨詢(xún)
2022-1-22
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振鑫焱光伏科技有限公司常年采購(gòu)：回收硅片，電池片，初級(jí)多晶硅，銀漿布，單晶硅，多晶硅，太陽(yáng)能電池，光伏組件，太陽(yáng)能電池板，層壓件太陽(yáng)能板電池板多少錢(qián)，客戶(hù)撤退，降級(jí)，庫(kù)存，el，-測(cè)試，二手，舊，工程，拆卸，路燈，拆解電站，拆卸，膠合板，層壓板，無(wú)邊界晶體硅，多晶硅，單晶硅，實(shí)驗(yàn)板，-償還，返工，光伏模塊回收等。
背電場(chǎng)：
a 級(jí)：
背電場(chǎng)完整，厚薄均勻，路燈拆卸太陽(yáng)能板電池板多少錢(qián)，允許有缺失，缺失面積不超過(guò)背電場(chǎng)總面積的 5% ，變色面積不超過(guò)背電場(chǎng)面積的 15% 。
新的標(biāo)準(zhǔn)：背電場(chǎng)完整，厚薄均勻，不允許有缺失
b 級(jí)：
允許有缺失，缺失面積不超過(guò)背電場(chǎng)總面積的 10% ，變色面積不超過(guò)背電場(chǎng)面積的 30% 。
新的標(biāo)準(zhǔn)：允許有缺失，缺失面積不超過(guò)背電場(chǎng)總面積的 5% ，變色面積不超過(guò)背電場(chǎng)面積的 15% 。
c 級(jí)：
允許有缺失，缺失面積不超過(guò)背電場(chǎng)總面積的 10% ，變色面積不超過(guò)背電場(chǎng)面積的 50% 。
新的標(biāo)準(zhǔn)：缺失面積不超過(guò)背電場(chǎng)總面積的 5% ，變色面積不超過(guò)背電場(chǎng)面積的 50% 。
粗點(diǎn)：
a 級(jí)：
粗點(diǎn)寬度≤ 0.18mm ，個(gè)數(shù)小于 2 個(gè)
新的標(biāo)準(zhǔn)：不允許有粗點(diǎn)
b 級(jí)：
粗點(diǎn)寬度≤ 0.25mm ，個(gè)數(shù)小于 5 個(gè)
新的標(biāo)準(zhǔn)：允許有粗點(diǎn)，粗點(diǎn)寬度≤ 0.18mm ，個(gè)數(shù)小于 2 個(gè)
c 級(jí)：
粗點(diǎn)寬度≤ 0.3mm ，個(gè)數(shù)小于 8 個(gè)
新的標(biāo)準(zhǔn)：當(dāng)主柵線(xiàn)或副柵線(xiàn)有明顯粗細(xì)不均時(shí)，應(yīng)用刻度顯微鏡進(jìn)行查檢。
振鑫焱光伏科技有限公司常年采購(gòu)：回收硅片，電池片，初級(jí)多晶硅，光伏太陽(yáng)能板電池板多少錢(qián)，銀漿布，單晶硅，多晶硅，吐魯番地區(qū)太陽(yáng)能板電池板多少錢(qián)，太陽(yáng)能電池，光伏組件，太陽(yáng)能電池板，客戶(hù)撤退，降級(jí)，庫(kù)存，el，-測(cè)試，二手，舊，工程，拆卸，路燈，拆解電站，拆卸，膠合板，層壓板，無(wú)邊界晶體硅，多晶硅，單晶硅，實(shí)驗(yàn)板，-償還，返工，光伏模塊回收等。
影響因素
1 ．頻率
射頻 pecvd 系統(tǒng)大都采用 50khz~13.56 mhz 的工業(yè)頻段射頻電源。較高頻率（ >;4mhz ）沉積的氮化硅薄膜具有-的鈍化效果和穩(wěn)定性。
2 ．射頻功率
增加 rf 功率通常會(huì)- sin 膜的。但是，功率密度不宜過(guò)大，超過(guò) 1w/cm2 時(shí)器件會(huì)造成-的射頻損傷。
3 ．襯底溫度
pecvd 膜的沉積溫度一般為 250 ～ 400 ℃ 。這樣能-氮化硅薄膜在hf 中有足夠低的腐蝕速率，并有較低的本征壓力，從而有-的熱穩(wěn)定性和抗裂能力。低于 200 ℃ 下沉積的氮化硅膜，本征應(yīng)力很大且為張應(yīng)力，而溫度高于 450 ℃ 時(shí)膜容易龜裂。
4 ．氣體流量
影響氮化硅膜沉積速率的主要?dú)怏w是 sih4 。為了防止富硅膜，選擇nh3/sih4=2~20 （體積比）。氣體總流量直接影響沉積的均勻性。為了防止反應(yīng)區(qū)下游反應(yīng)氣體因耗盡而降低沉積速率，通常采用較大的氣體總流量，以-沉積的均勻性。
5 ．反應(yīng)氣體濃度
sih4 的百分比濃度及 sih4/nh3 流量比，對(duì)沉積速率、氮化硅膜的組分及物化性質(zhì)均有重大影響。
理想 si3n4 的 si/n ＝ 0.75 ，而 pecvd 沉積的氮化硅的化學(xué)計(jì)量比會(huì)隨工藝不同而變化，但多為富硅膜，可寫(xiě)成 sin 。因此，必須控制氣體中的 sih4 濃度，不宜過(guò)高，并采用較高的 sin 比。除了 si 和 n 外， pecvd 的氮化硅一般還包含一定比例的氫原子，即 sixnyhz 或 sinx :h 。
6 ．反應(yīng)壓力、和反應(yīng)室尺寸 等都是影響氮化硅薄膜的性能工藝參數(shù)。
振鑫焱光伏科技有限責(zé)任公-期購(gòu)置：天價(jià)回收硅片，電池片，初中級(jí)多晶硅，銀漿布，單晶硅，多晶硅，太陽(yáng)電池，太陽(yáng)能組件，太陽(yáng)能光伏板，顧客撤離，退級(jí)，庫(kù)存量，el，欠佳檢測(cè)，2手，舊，工程項(xiàng)目，拆裝，道路路燈，拆卸發(fā)電廠(chǎng)，拆裝，人造板，層壓板，-限結(jié)晶硅，多晶硅，單晶硅，試驗(yàn)板，負(fù)債-，返修，太陽(yáng)能發(fā)電控制模塊收購(gòu)等。
應(yīng)用充電電池現(xiàn)況應(yīng)用數(shù)多的工業(yè)生產(chǎn)充電電池為鉛酸蓄電池，鉛占電瓶固定成本50%左右，關(guān)鍵選用火法、濕法冶金加工工藝及其固相電解法復(fù)原技術(shù)性。機(jī)殼為塑膠，能夠再造，基礎(chǔ)保持無(wú)污染。
中小型再次充電電池現(xiàn)階段的應(yīng)用總產(chǎn)量只能上億只，且大部分容積較小，廢舊電池運(yùn)用使用價(jià)值較低，再加應(yīng)用分散化，絕大多數(shù)作城市垃圾處理，其收購(gòu)存有著成本費(fèi)和管理工作的難題，再造運(yùn)用也存有必須的技術(shù)性難題。
廢舊電池做為生活垃圾處理開(kāi)展集中處理時(shí)，廢舊電池中的hg、cd、pb、zn等金屬鎘部分在高溫下人空氣，部分變成脫硫石膏，造成污染。
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