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eeprom與fram
eeprom和fram的設(shè)計參數(shù)類似,但fram的可讀寫次數(shù)非常高且寫入速度較快。然而通常情況下,用戶仍會選擇eeprom而不是fram,200度高溫靜態(tài)存儲器價格,其主要原因是成本(fram較為昂貴)、水平和供貨情況。設(shè)計-常常使用成本較低的串行eeprom,除非耐久性或速度是強制性的系統(tǒng)要求。
dram和sram都是易失性存儲器,盡管這兩種類型的存儲器都可以用作程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器,但sram主要用于數(shù)據(jù)存儲器。dram與sram之間的主要差別是數(shù)據(jù)存儲的壽命。只要不斷電,sram就能保持其數(shù)據(jù),靜態(tài)存儲器,但dram只有極短的數(shù)據(jù)壽命,通常為4毫秒左右。
動態(tài)存儲器的工作原理
動態(tài)存儲器每片只有一條輸入數(shù)據(jù)線,而地址引腳只有8條。為了形成64k地址,必須在系統(tǒng)地址總線和芯片地址引線之間專門設(shè)計一個地址形成電路。使系統(tǒng)地址總線信號能分時地加到8個地址的引腳上,借助芯片內(nèi)部的行鎖存器、列鎖存器和譯碼電路選定芯片內(nèi)的存儲單元,鎖存信號也靠著外部地址電路產(chǎn)生。
當要從dram芯片中讀出數(shù)據(jù)時,cpu首先將行地址加在a0-a7上,225度高溫靜態(tài)存儲器批發(fā),而后送出ras鎖存信號,該信號的下降沿將地址鎖存在芯片內(nèi)部。接著將列地址加到芯片的a0-a7上,225度高溫靜態(tài)存儲器,再送cas鎖存信號,也是在信號的下降沿將列地址鎖存在芯片內(nèi)部。然后保持we=1,則在cas有效期間數(shù)據(jù)輸出并保持。
當需要把數(shù)據(jù)寫入芯片時,行列地址先后將ras和cas鎖存在芯片內(nèi)部,然后,we有效,加上要寫入的數(shù)據(jù),則將該數(shù)據(jù)寫入選中的存貯單元。
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