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1、小型化、薄片化和片式化:為滿足移動電話為代表的便攜式產(chǎn)品輕、薄、短小的要求,高速傳輸石英晶振加工,石英晶體振蕩器的封裝由傳統(tǒng)的裸金屬外殼覆塑料金屬向陶瓷封裝轉(zhuǎn)變。例如tcxo這類器件的體積縮小了30~100倍。采用smd封裝的tcxo厚度不足2mm,目前5×3mm尺寸的器件已經(jīng)上市。
2、-與高穩(wěn)定度,目前無補償式晶體振蕩器總精度也能達到±25ppm,vcxo的頻率穩(wěn)定度在10~7℃范圍內(nèi)一般可達±20~100ppm,而ocxo在同一溫度范圍內(nèi)頻率穩(wěn)定度一般為±0.0001~5ppm,vcxo控制在±25ppm以下。
因為信號是反饋到vt1發(fā)射極,現(xiàn)假設vt1發(fā)射極電壓瞬時極性為“+”,集電極電壓極性為“+”(發(fā)射極與集電極是同相關(guān)系,當發(fā)射極電壓上升時集電極電壓也上升),vt2的基極電壓極性為“+”,發(fā)射極電壓極性也為“+”,該極性的電壓通過x1反饋到vt1的發(fā)射極,反饋電壓極性與假設的電壓極性相同,故該反饋為正反饋。
接通電源后,三極管vt1、vt2導通,vt2發(fā)射極輸出變化的ie電流中包含各種頻率的信號,石英晶體x1對其中的f0信號阻抗很小,f0信號經(jīng)x1、rp1反饋到vt1的發(fā)射極,cmos輸出石英晶振加工,該信號經(jīng)vt1放大后從集電極輸出,又加到vt2放大后從發(fā)射極輸出,然后又通過x1反饋到vt1放大,如此反復進行,vt2輸出的f0信號幅度越來越大,vt1、vt2組成的放大電路放大倍數(shù)越來越小,當放大倍數(shù)等于反饋衰減系數(shù)時,輸出f0信號幅度不再變化,電路輸出穩(wěn)定的f0信號。
晶體振蕩器是利用石英晶體的壓電效應制成的一種諧振器件。它的基本構(gòu)成大致是:從一塊石英晶體上按一定方位角切下的薄片(在它的兩個對應面上涂敷銀層作為電極),還有ic芯片以及相應的電阻電容和微小線路板組成的振蕩電路,石英晶振加工,再加上封裝外殼就構(gòu)成了晶體振蕩器,一般簡稱為晶振。其產(chǎn)品大多用金屬外殼封裝,也有用玻璃殼、陶瓷或塑料封裝的。
不同的工程使用,對晶體振蕩器頻率的技術(shù)性能要求不同。有的要求頻率短期穩(wěn)定度高;有的要求簡單-;有的要求長期穩(wěn)定性高;有的要求開機后短時間內(nèi)能穩(wěn)定工作;有的要求能抗很強的沖擊與振動等等。
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