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硅是傳統(tǒng)的半導(dǎo)體材料。長(zhǎng)期以來(lái),整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)遵循摩爾定律,不斷縮小晶體管尺寸以提升其性能。而業(yè)界認(rèn)為,摩爾定律將在2020年左右達(dá)到終點(diǎn),即硅材料晶體管的尺寸將無(wú)法再縮小,芯片的性能提升已經(jīng)接近其物理-。在此背景下,人們一直在尋找能夠替代當(dāng)前硅芯片的材料,碳納米管就是主要的研究方向之一。美國(guó)斯坦福大學(xué)、ibm公司的研究人員都在致力于該領(lǐng)域的研究。國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展路線圖近年來(lái)多次引用團(tuán)隊(duì)的工作,來(lái)證明碳納米管是一個(gè)重要的出路。
碳納米管功能母粒是碳納米管預(yù)分散在聚合物樹脂中制成的具有較高碳納米管含量的功能母粒,通常是將碳納米管與在熔融狀態(tài)下的熱塑性聚合物進(jìn)行充分混煉后冷卻切粒得到。使用碳納米管功能母粒,碳納米管防靜電pp,可避免在生產(chǎn)過(guò)程中產(chǎn)生大量的粉塵,有利于人員健康和。碳納米管有限成份濃度為25wt%,添加2——20wt%即獲得抗靜電或?qū)щ娦Ч;塑料?dǎo)電添加劑,賦予制品抗靜電、靜電耗散、導(dǎo)電和電磁屏蔽等性能;
機(jī)械修飾是指借助外力對(duì)碳納米管表面進(jìn)行修飾從而優(yōu)化其性能,機(jī)械修飾方法有研磨、摩擦、震動(dòng)等。以上物理方法能夠增大碳納米管的自身內(nèi)能,使之在一定的外界條件下與一些物質(zhì)發(fā)生反應(yīng),從而達(dá)到碳納米管表面改性的目的。機(jī)械修飾優(yōu)點(diǎn)是:工藝簡(jiǎn)單、快捷、成本低。缺點(diǎn)是:缺點(diǎn)是在研磨過(guò)程中不易控制,在形成晶格缺陷的同時(shí)容易導(dǎo)致碳納米管的長(zhǎng)度過(guò)短,失去原始碳納米管具有的性能。
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