沉頭內(nèi)六角熱處理-萊西熱處理-萬利鑫熱處理

半導(dǎo)體芯片退火

半導(dǎo)體芯片在經(jīng)過離子注入以后就需要退火。因?yàn)橥�半�?dǎo)體中注入雜質(zhì)離子時(shí)，高能量的入射離子會與半導(dǎo)體晶格上的原子碰撞，使一些晶格原子發(fā)生位移，萊西熱處理，結(jié)果造成大量的空位，內(nèi)六角栓熱處理，將使得注入?yún)^(qū)中的原子排列混亂或者變成為非晶區(qū)，沉頭內(nèi)六角熱處理，所以在離子注入以后必須把半導(dǎo)體放在一定的溫度下進(jìn)行退火，以恢復(fù)晶體的結(jié)構(gòu)和消除缺陷。同時(shí)，退火還有施主和受主雜質(zhì)的功能，即把有些處于間隙位置的雜質(zhì)原子通過退火而讓它們進(jìn)入替代位置。退火的溫度一般為200~800c，比熱擴(kuò)散摻雜的溫度要低得多。