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制版(plate-)是將原稿成印版的統(tǒng)稱。有將鉛活字排成活字版,以及用活字版打成紙型現(xiàn)澆鑄成凸版和將圖像經(jīng)照像或電子分色獲得底片,用底片曬制凸版、平版、凹版等一系列的制版方法。在制版中影響印版的因素,主要有顯影液濃度、顯影溫度和顯影時間以及顯影液的循環(huán)攪拌情況、顯影液的疲勞程度等。
ps版的顯影時間主要由ps版的種類、-時間及顯影液的濃度、顯影溫度等條件來確定。當上述條件確定制版機后,ps版的顯影程度與顯影時間成正比關(guān)系,掩膜版,即顯影時間越長,顯影越-。但顯影時間過長會產(chǎn)生網(wǎng)點縮小等現(xiàn)象。
公司產(chǎn)品包括石英掩膜版,蘇打掩膜版,以及菲林版。蘇州制版根據(jù)客戶的構(gòu)想、草圖,定制版圖,蘇州制版提供高掩膜版以及后期的代加工服務(wù)!
其中掩膜版圖形數(shù)據(jù)由用戶自行設(shè)計并提交,后續(xù)加工工藝由-完成。由于圖形數(shù)據(jù)準備是掩膜版加工中的關(guān)鍵步驟,要求用戶對所提交的版圖文件仔細核對,-圖形正確性。以下將對用戶較為關(guān)心的版圖繪制問題作出具體說明 。
光掩膜是刻有微電路的版,由表面純平并帶有一層鉻的石英板或玻璃板制作而成,蝕刻后的殘留鉻部分即為設(shè)計的微電圖。這種制版方式在掩膜行業(yè)稱為光透。
半導體集成電路制作過程通常需要經(jīng)過多次光刻襲工藝,在半導體晶體表面的介質(zhì)層上開鑿各種摻雜窗口、電極接觸孔或在導電層上刻蝕金屬互連圖形。光刻工藝需要一整套(幾塊zhidao多至十幾塊)相互間能套準的、具有特定幾何圖形的光復印掩蔽模版。
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