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濺射靶材ito靶材的生產(chǎn)工藝 ito靶材的生產(chǎn)工藝可以分為3種:熱等靜壓法(hip)、濺射靶材熱壓法(hp)和氣氛燒結(jié)法。各種生產(chǎn)工藝及其特點簡介如下:
熱等靜壓法:ito靶材的熱等靜壓制作過程是將粉末或預先成形的胚體,在800℃~1400℃及1000kgf/cm 2~2000kgf/cm 2的壓力下等方加壓燒結(jié)。熱等靜壓工藝制造產(chǎn)品密度高、物理機械性能好,但設備投入高,生產(chǎn)成本高,產(chǎn)品的缺氧率高。







在所有應用產(chǎn)業(yè)中,半導體產(chǎn)業(yè)對靶材濺射薄膜的品質(zhì)要求是苛刻的。如今12英寸(300衄口)的硅晶片已制造出來.而互連線的寬度卻在減小。硅片制造商對靶材的要求是大尺寸、高純度、低偏析和細晶粒,這就要求所制造的靶材具有-的微觀結(jié)構(gòu)。靶材的結(jié)晶粒子直徑和均勻性已被認為是影響薄膜沉積率的關鍵因素。另外,薄膜的純度與靶材的純度關系-,過99.995%(4n5)純度的銅靶,包銀導電輥加工,或許能夠滿足半導體廠商0.35pm工藝的需求,但是卻無法滿足如今0.25um的工藝要求。

燒結(jié)法: ito靶材燒結(jié)制作法是在以銦錫氧化物共沉淀粉末或氧化銦和氧錫混合粉末為原料,加入粘結(jié)劑和分散劑混合后,壓力成型,脫脂,包銀導電輥廠家,然后于1400℃-1600℃燒結(jié)。燒結(jié)法設備投入少,成本低,包銀導電輥,產(chǎn)品密度高、缺氧率低,尺寸大、但制造過程中對粉末的選擇性很強。
ito靶制備的透明導電薄膜廣泛應用于數(shù)碼相機、投影電視、數(shù)碼顯示的各種光學系統(tǒng)中,全球需求量都很大。

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