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cbb電容和cl電容之間的區(qū)別分析
損耗:cbb電容和cl電容在外形上差別不大,但在損耗這一電性能上差別較大。滌綸電容器的損耗較大,在1khz時(shí)典型值約為50×10-4,與紙介電容器相當(dāng)。聚電容器的損耗(1khz),指標(biāo)大約是10×10-4,實(shí)際上一般小于5×10-4,浙江電容,約為滌綸電容器的十分之一。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。
電容的兩個(gè)極片中間有介質(zhì),然后被殼體將電容極片、介質(zhì)進(jìn)行封裝,事實(shí)上,封裝的殼體不會(huì)100%的致密,cl11電容價(jià)格,就給潮氣進(jìn)入供給了或許。舉例,耐壓在50v的安規(guī)電容,潮氣進(jìn)入了,滌綸電容供應(yīng),在電容兩頭加5v電壓的時(shí)分,附著在介質(zhì)上的潮氣就成了一個(gè)漏電流通道,但由于電壓低,這個(gè)漏電流并不很大,通路阻抗上發(fā)生的熱量也并不大,不-將水汽加熱蒸騰掉,但損壞電容的儲(chǔ)能特性是足夠了。所以,電容失效了。
從這些實(shí)驗(yàn)來(lái)看,導(dǎo)致cbb電容失效,cl21電容廠家,容量降低,耐壓降低有以下幾點(diǎn):
1、電容密封不夠,水汽進(jìn)入導(dǎo)致氧化,耐壓降低。
2、長(zhǎng)期瞬間電流過(guò)大,電壓過(guò)高,內(nèi)部放電自愈導(dǎo)致容量下降。
3、長(zhǎng)期高負(fù)荷工作,金屬鍍層的蒸發(fā)導(dǎo)致容量降低。......................................................
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