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- 主營(yíng)產(chǎn)品|線列式磁控濺射鍍膜機(jī),光纖磁控鍍膜機(jī)批發(fā),光纖磁控鍍膜機(jī)廠
- 單位地址| 沈陽(yáng)市沈河區(qū)凌云街35號(hào)
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沈陽(yáng)鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司擁有-的技術(shù)，我們都以為本，信譽(yù)高，我們竭誠(chéng)歡迎廣大的顧客來(lái)公司洽談業(yè)務(wù)。如果您對(duì)化學(xué)氣相沉積感興趣，歡迎-左右兩側(cè)的在線，或撥打咨詢電話。
化學(xué)氣相堆積(簡(jiǎn)稱cvd)是反響物質(zhì)在氣態(tài)條件下發(fā)生化學(xué)反響，生成固態(tài)物質(zhì)堆積在加熱的固態(tài)基體外表，進(jìn)而制得固體資料的工藝技術(shù)。它本質(zhì)上歸于原子領(lǐng)域的氣態(tài)傳質(zhì)進(jìn)程。
化學(xué)氣相淀積是近幾十年發(fā)展起來(lái)的制備無(wú)機(jī)資料的新技術(shù)�；瘜W(xué)氣相淀積法已經(jīng)廣泛用于提純物質(zhì)、研發(fā)新晶體、淀積各種單晶、多晶或玻璃態(tài)無(wú)機(jī)薄膜資料。這些資料可所以氧化物、-物、氮化物、碳化物，也可所以iii-v、ii-iv、iv-vi族中的二元或多元的元素間化合物，并且它們的物理功用能夠通過(guò)氣相摻雜的淀積進(jìn)程準(zhǔn)確操控。現(xiàn)在，化學(xué)氣相淀積已成為無(wú)機(jī)合成化學(xué)的一個(gè)新領(lǐng)域。
該系統(tǒng)為單室薄膜太陽(yáng)電池等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（pecvd）工藝研發(fā)設(shè)備，用來(lái)在硅片上沉積siox、sinx、非晶硅、多晶硅、碳材料等薄膜，鍍膜樣品為156×156mm基片（并向下兼容）。
設(shè)備概述：
1.系統(tǒng)采用單室方箱式結(jié)構(gòu)，手動(dòng)前開(kāi)門；
2.真空室:尺寸為350mm×350×280mm；
3.-真空度：≤6.67x10-4 pa (經(jīng)烘烤除氣后，采用分子泵抽氣)；
系統(tǒng)真空檢漏漏率：≤5.0x10-7pa.l/s； 系統(tǒng)從-開(kāi)始抽氣到5.0x10-3 pa，35分鐘可達(dá)到
（采用分子泵抽氣，分子泵不配，預(yù)留分子泵接口)； 停泵關(guān)機(jī)12小時(shí)后真空度：≤5 pa（采用分子
泵抽氣，等離子化學(xué)氣相沉積設(shè)備廠家，分子泵不配，等離子化學(xué)氣相沉積設(shè)備，預(yù)留分子泵接口)；
4.采用樣品在下，噴淋頭在上噴淋式進(jìn)氣方式；
5.樣品加熱加熱溫度：300℃，溫控精度：±1°c，采用日本進(jìn)口控溫表進(jìn)行控溫；
6.噴淋頭尺寸：200×200mm，噴淋頭與樣品之間電極間距20-80mm連續(xù)可調(diào)；
7. 沉積工作真空：13-1300pa；
8.氣路設(shè)有勻氣系統(tǒng)，真空室內(nèi)設(shè)有-抽氣均勻性抽氣裝置；
9.射頻電源：頻率 13.56mhz，功率500w，全自動(dòng)匹配；
10.sih4、nh3、co2、n2、h2、ph3、b2h6、七路氣體，共計(jì)使用7個(gè)流量控制器控制進(jìn)氣。
11. 系統(tǒng)設(shè)有尾氣處理系統(tǒng)(高溫裂解方式)。
以上就是關(guān)于方箱pecvd鍍膜產(chǎn)品的相關(guān)內(nèi)容介紹，等離子化學(xué)氣相沉積設(shè)備價(jià)格，如有需求，
以下內(nèi)容由沈陽(yáng)鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司為您提供，今天我們來(lái)分享化學(xué)氣相沉積的相關(guān)內(nèi)容，希望對(duì)同行業(yè)的朋友有所幫助！
化學(xué)氣相沉積法生產(chǎn)幾種金屬薄膜
金屬薄膜因其有著較好的高導(dǎo)電率、強(qiáng)催化活性以及極其穩(wěn)定引起了研究者的興趣。和生成金屬薄膜的其他方式相比，化學(xué)氣相沉積法有更多技術(shù)優(yōu)勢(shì)，所以大多數(shù)制備金屬薄膜都會(huì)采用這種方式。沉積金屬薄膜用的沉積員物質(zhì)種類比較廣泛，不過(guò)大多是金屬元素的鹵化物和有機(jī)化合物，比如cocl2、氯化-鉑、氯化-銥、dcpd化合物等等。
goto 團(tuán)隊(duì)在金屬薄膜用作電極材料上做了大量的工作。他們所使用的襯底材料有藍(lán)寶石、石英玻璃以及氧化釔穩(wěn)定化的二氧化-（ysz）等等。在成沉積時(shí)往裝置中通入氧氣是為了消除掉原料因熱分解產(chǎn)生的碳，并制備出更有金屬光澤的金屬薄膜，如若不然則得到的就是銥碳簇膜，也就是納米等級(jí)被晶碳層所包裹的銥顆粒。沉積在ysz 上面的銥碳簇膜有著較好的電性能和催化活性。在比較低的溫度下，銥碳簇膜的界面電導(dǎo)率能達(dá)到純銥或者純鉑的百倍以上。金屬和炭組成的簇膜是一種輸送多孔催化活性強(qiáng)的簇膜，在電極材料上的使用在未來(lái)將很有潛力。
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