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1:金屬鍍鈀,鍍鈀銅提鈀技術(shù):首先把鍍鈀銅等表面鍍鈀料放入容器中,再加入自配退鈀溶液,數(shù)秒中后表面鈀退凈,取出鍍鈀銅基體(此方法對(duì)基體無(wú)傷害,再用自配化學(xué)試劑,鈀和溶液分離
2:合金含鈀,銅鈀合金提鈀技術(shù):把銅鈀合金放入容器中,加入自配化學(xué)品把銅鈀合金溶解成液體,-材料,再用自配化學(xué)試劑把鈀和溶液分離。
3:廢鈀碳催化劑提鈀,首先用物理原理把碳等有機(jī)物去除,剩下金屬鈀,再用化學(xué)試劑溶解金屬鈀,再進(jìn)行下一步鈀分離。







熱壓法:ito靶材的熱壓制作過(guò)程是在石墨或氧化鋁制的模具內(nèi)充填入適當(dāng)粉末以后,以 100kgf/cm 2~1000kgf/cm 2的壓力單軸向加壓,-材料,同時(shí)以1000℃~1600℃進(jìn)行燒結(jié)。熱壓工藝制作過(guò)程所需的成型壓力較小,燒結(jié)溫度較低,燒結(jié)時(shí)間較短。但熱壓法生產(chǎn)的ito靶材由于缺氧率高,氧含量分布不均勻,從而影響了生產(chǎn)ito薄膜的均勻性,且不能生產(chǎn)大尺寸的靶。

眾所周知,靶材材料的技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)與下游應(yīng)用產(chǎn)業(yè)的薄膜技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)息息相關(guān),隨著應(yīng)用產(chǎn)業(yè)在薄膜產(chǎn)品或元件上的技術(shù)改進(jìn),靶材技術(shù)也應(yīng)隨之變化。如ic制造商.近段時(shí)間致力于低電阻率銅布線的開發(fā),-材料廠家,預(yù)計(jì)未來(lái)幾年將大幅度取代原來(lái)的鋁膜,這樣銅靶及其所需阻擋層靶材的開發(fā)將刻不容緩。另外,近年來(lái)平面顯示器(fpd)大幅度取代原以陰極射線管(crt)為主的電腦顯示器及電視機(jī)市場(chǎng).亦將大幅增加ito靶材的技術(shù)與市場(chǎng)需求。此外在存儲(chǔ)技術(shù)方面。高密度、大容量硬盤,高密度的可擦寫光盤的需求持續(xù)增加.這些均導(dǎo)致應(yīng)用產(chǎn)業(yè)對(duì)靶材的需求發(fā)生變化。下面我們將分別介紹靶材的主要應(yīng)用領(lǐng)域,以及這些領(lǐng)域靶材發(fā)展的趨勢(shì)。

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