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由于半導(dǎo)體泵浦的轉(zhuǎn)換，模式好，更易-出高能量的更小面積的光點(diǎn)，標(biāo)記同樣的物體時(shí)，其所需的外部能量會(huì)更小。同時(shí)其產(chǎn)生的廢熱也遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于燈泵浦激光器，決定了其不需要燈泵浦激光器那樣龐大的冷卻系統(tǒng)。所以半導(dǎo)體泵浦的激光器系統(tǒng)的功耗比燈泵浦小得多。
一個(gè)50w的燈泵浦激光打標(biāo)機(jī)的功耗在6kw左右，而一個(gè)50w半導(dǎo)體激光標(biāo)記機(jī)的功耗只在2kw左右，以三年為例，-工作24小時(shí)，一個(gè)月工作28天，一度工業(yè)用電1.1元，衢州小型激光打標(biāo)機(jī)，光耗電一項(xiàng)，一臺(tái)半導(dǎo)體激光器就比一臺(tái)燈泵浦激光器節(jié)�。�6-2）kw*24小時(shí)*28天*12月*3年*1.1/度=10.645萬(wàn) 元！
新型激光器 兩種高功率連續(xù)波化學(xué)激光器，3.8微米的氟激光器（df）和1.315微米短波長(zhǎng)氧碘激光器（coil），小型光纖激光打標(biāo)機(jī)價(jià)格，均取得突破性進(jìn)展，功率和光束僅次于美國(guó)，達(dá)到當(dāng)前國(guó)際水平。 x射線激光方面，20w小型激光打標(biāo)機(jī)價(jià)格，碰撞機(jī)制的類鍺軟x射線激光（波長(zhǎng)為23.2納米和23.6納米）達(dá)到增益飽和并具有近衍射-的光束，居水平；復(fù)合泵浦x射線激光研究獲得一系列國(guó)際 -的新譜線，并向短波長(zhǎng)推進(jìn)到4.68納米。自由電子激光器和多波長(zhǎng)可調(diào)諧激光也取得了可喜進(jìn)展。
4.牌新晶體走向 我國(guó)發(fā)明的bbo、lbo晶體，以及ktp、鈦寶石等晶體以優(yōu)異的在國(guó)際市場(chǎng)享有盛譽(yù)并占有一定的份額。
“激光”一詞是“l(fā)aser”的意譯。laser原是light amplification by stimulated emissi on of radiation取字頭組合而成的專門(mén)名詞，在我國(guó)曾被翻譯成“萊塞”、“光器” 、“光受激輻射放大器”等。1964年，錢(qián)學(xué)森院士--為“激光”，既反映了“受激輻射”的科學(xué)內(nèi)涵，又表明它是一種很-的新光源，貼切、傳神而又簡(jiǎn)潔，得到我國(guó)科學(xué)界的一致認(rèn)同并沿用。
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