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漆面過細(xì)。使用干磨機(jī)配合p3000金字塔砂碟和干磨軟墊過細(xì)打磨過的漆面,廣東異形拋光機(jī),在砂碟和漆面上噴灑一定量的水,以較快的移遮蔽保護(hù)動(dòng)速度,按上下左右順序各兩道打磨整個(gè)漆面。打磨后,使用橡膠刮水板刮除表面水和白沫。
標(biāo)準(zhǔn):漆面上無氧化層、劃痕等缺陷
2、拋光:拋光是研磨后進(jìn)一步平整漆面。除去研磨殘余條紋,拋光劑使漆面光澤度自然呈現(xiàn)。
2.1 粗蠟拋光:砂紙研磨后進(jìn)一步去除表面砂紙痕,恢復(fù)漆面平整度和初始光澤。
將蠟均勻涂抹在一定漆面區(qū)域內(nèi)(單次拋光面積在一臂展長(zhǎng)寬范圍內(nèi)為宜)拋光機(jī)轉(zhuǎn)速控制在1200-2000轉(zhuǎn)之間。初期以中等偏上的壓-住拋光盤均速拋光漆面,觀察漆面,待砂紙痕明顯拋除后放松壓力將蠟痕拋開,回復(fù)漆面一定的光澤。拋光后應(yīng)使用超細(xì)纖維布擦拭干凈漆面殘留的粗蠟和粉塵。、
(3)消除工件“橘皮”的措施
當(dāng)發(fā)現(xiàn)表面拋得不好時(shí),流水線異形拋光機(jī),許多人就會(huì)增加拋光的壓力和延長(zhǎng)拋光的時(shí)間,這種作法往往會(huì)使表面的變得更差。
可采用以下的方法去補(bǔ)救:
1) 把有缺陷的表面去除,研磨的粒度比先前使用砂號(hào)略粗一級(jí),異形拋光機(jī),然后進(jìn)行研磨,拋光的力度要比先前的低一些。
2) 以低于回火溫度25 ℃的溫度進(jìn)行應(yīng)力消除,在拋光前使用細(xì)的砂號(hào)進(jìn)行研磨,直到達(dá)到滿意的效果,后以較輕的力度進(jìn)行拋光。
cmp,即chemical
mechanical polishing,化學(xué)機(jī)械拋光。cmp技術(shù)所采用的設(shè)備及消耗品包括:拋光機(jī)、拋光漿料、拋光墊、后cmp清洗設(shè)備、拋光終點(diǎn)檢測(cè)及工藝控制設(shè)備、廢物處理和檢測(cè)設(shè)備等。
cmp技術(shù)的概念是1965年由manto提出。該技術(shù)初是用于獲取高的玻璃表面,如望遠(yuǎn)鏡等。1988年ibm開始將cmp技術(shù)運(yùn)用于4mdram 的制造中,而自從1991年ibm將cmp成功應(yīng)用到64mdram
的生產(chǎn)中以后,數(shù)控異形拋光機(jī),cmp技術(shù)在各地迅速發(fā)展起來。區(qū)別于傳統(tǒng)的純機(jī)械或純化學(xué)的拋光方法,cmp通過化學(xué)的和機(jī)械的綜合作用,從而避免了由單純機(jī)械拋光造成的表面損傷和由單純化學(xué)拋光易造成的拋-度慢、表面平整度和拋光一致性差等缺點(diǎn)。它利用了磨損中的軟磨硬原理,即用較軟的材料來進(jìn)行拋光以實(shí)現(xiàn)高的表面拋光。
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