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如反激一次側(cè)的高壓mos的d、s之間距離，依據(jù)公式500v對應(yīng)0.85mm，ds電壓在700v以下是0.9mm，考慮到污染和潮濕，一般取1.2mm 54.如果to220封裝的mos的d腳串了磁珠，usb適配器價格，需要考慮t腳增加安全距離。 之前碰到過炸機現(xiàn)象，增加安全距離后解決了，因為磁珠容易沾上殘留物 55.發(fā)一個驗證vcc的土方法，把產(chǎn)品放低溫環(huán)境（冰箱）幾分鐘，測試vcc波形電壓有沒有觸發(fā)到芯片欠壓保護點。 小公司設(shè)備沒那么全，有興趣的可以做個對比，看看vcc差異有多大關(guān)于vcc圈數(shù)的設(shè)計需要考慮很多因素 56.在變壓器底部pcb加通風(fēng)孔，有利于散熱，小板也一樣，要考慮風(fēng)路。
圖一b（230vac） 圖一b可以看到，輸入電壓在230vac測試時，65m和83m位置有點頂線（紅色線）圖一b-1（230vac） 原邊吸收電容由471p加大到102p，65m位置壓下來一點，后面還是有點高，如圖一b-1所示； 圖一b-2（230vac） 變壓器屏蔽改成線屏蔽（0.2*1*30ts），usb適配器生產(chǎn)，后面完全衰減，如圖一b-2； 圖一b-3（115vac） 115vac輸入測試，后面150m又超了，發(fā)克！高壓好了低壓又不行，惱火啊！看來這招不行； 圖一b-4（115vac） 變壓器屏蔽還是換成銅箔屏蔽（圈數(shù)由0.9ts改成1.3ts），效果-，翠竹街道usb適配器，如圖一b-4所示。 圖一b-5（230vac） 115vac輸入測試，usb適配器加工，測試通過。結(jié)論：一：變壓器出線需做到不交叉；二：y電容回路走線越短越好先經(jīng)過變壓器地再回到大電容地，不與其它信號線交叉；
處理異音的方法之一 23.浸漆的tdk rf電感與未浸漆的鼓狀差模電感，浸漆磁芯產(chǎn)生的噪音要小12db 處理異音的方法之二 24.變壓器生產(chǎn)時真空浸漆，可以使其工作在較低的磁通密度，使用環(huán)氧樹脂黑膠填充三個中柱上的縫隙 處理異音的方法之三25.電路設(shè)計，啟動電阻如果使用在整流前時，要加串一顆幾百k的電阻。理由：電阻短路時，不會造成ic和mosfet損壞。 26.電路設(shè)計，高壓大電容并一顆103p瓷片電容位置。理由：對幅射30-60mhz都有一定的作用。 空間允許的話pcb layout留一個位置吧，方便emi- 27.在進(jìn)行ems項目測試時，需測試出產(chǎn)品的程序，直到產(chǎn)品損壞為止。
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