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精度能達到0.5級,局放<5pc@14.4kv,介質(zhì)損耗<0.1%,雷電沖擊75kvac,1.2/50μs,正負(fù)極性各 15 次。
薄膜電容器的優(yōu)點:薄膜電容器由于具有很多優(yōu)良的特性,因此是一種性能-的電容器。它的主要等性如下:無極性,傳感器陶瓷電容器型號,絕緣阻抗-,頻率特性優(yōu)異(頻率響應(yīng)寬廣),而且介質(zhì)損失很小;谝陨系膬(yōu)點,所以薄膜電容器被大量使用在模擬電路上。尤其是在信號交連的部分,必須使用頻率特性-,介質(zhì)損失極低的電容器,方能-信號在傳送時,不致有太大的失真情形發(fā)生。在所有的塑料薄膜電容當(dāng)中,又以聚丙1烯(pp)電容和聚ben乙烯(ps)電容的特性為-,當(dāng)然這兩種電容器的價格也比較高。然而音響器材為了提升聲音的品質(zhì),所采用的零件材料已愈來愈高1級,價格并非重要的考量因素,所以pp電容和ps電容被使用在音響器材的頻率與數(shù)量也愈來愈高。
薄膜電容器的制法:通常的薄膜電容器其制法是將鋁等金屬箔當(dāng)成電極和塑料薄膜重疊后卷繞在一起制成。但是另外薄膜電容器又有一種制造法,叫做金屬化薄膜(metallized film),其制法是在塑料薄膜上以真空蒸鍍上一層很薄的金屬以做為電極。如此可以省去電極箔的厚度,縮小電容器單位容量的體積,所以薄膜電容器較容易做成小型,容量大的電容器。
精度能達到0.5級,局放<5pc@14.4kv,介質(zhì)損耗<0.1%,雷電沖擊75kvac,1.2/50μs,正負(fù)極性各 15 次
電子式無觸點可控硅投切電容器裝置(tsc)可控硅投切電容器,是利用了電子開關(guān)反應(yīng)速度快的特點。采用過零觸發(fā)電路,檢測當(dāng)施加到可控硅兩端電壓為零時,發(fā)出觸發(fā)信號,可控硅導(dǎo)通。此時電容器的電壓與電網(wǎng)電壓相等,因此不會產(chǎn)生合閘涌流,解決了接觸器合閘涌流的問題。但是,可控硅在導(dǎo)通運行時,可控硅結(jié)間會產(chǎn)生一伏左右的壓降,通常15kvar三角形接法的電容器,額定電流22a,則一個可控硅消耗功率約為22w。如以一個150kvar電容柜來算,運行時可控硅投切裝置消耗的功率可達600w,而且都變成熱量,使機柜溫度升高。同時可控硅有漏電流存在,當(dāng)未接電容時,即使可控硅未導(dǎo)通,其輸出端也是高電壓。優(yōu)點:無涌流,無觸點,使用-、維修少,投切速度快(5ms內(nèi));缺點:價格高為接觸器的3倍、投切速度0.5s左右
精度能達到0.5級,局放<5pc@14.4kv,介質(zhì)損耗<0.1%,雷電沖擊75kvac,1.2/50μs,正負(fù)極性各 15 次。
絕緣搖表測試法
放電并解開電容器的外部連線待測。
選取一只與電容器工作電壓相當(dāng)?shù)碾妷旱燃壍恼讱W表(一般規(guī)定:1000伏以下用500伏或1000伏兆歐表; 1000伏以上的使用1000伏或2500伏的兆歐表) 搖測電容器的絕緣電阻。搖測時應(yīng)戴絕緣手套或站在絕緣體上,按約120轉(zhuǎn)/分的轉(zhuǎn)速保持勻速,再將測試線(筆)--觸及電容器被測導(dǎo)體搭試測量,經(jīng)搖表發(fā)電機連續(xù)30秒~60秒對電容器充電并讀取數(shù)據(jù)后,迅速將測試線(筆)離開被試品切斷電路,然后才降低和終止搖表搖把的轉(zhuǎn)動,以避免被充的電容器的剩存電荷通過搖表內(nèi)電路放電漏掉和打壞指示表針,燒毀搖表內(nèi)二極管等內(nèi)部元件。
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