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金屬鈀及其合金具有很強的氫氣吸附能力和特殊的選擇滲透能力，是理想的氫氣儲存和凈化材料。目前，通常使用整體鈀合金或鍍鈀等方法制造氫凈化設備。近年來，有研究者嘗試采用化學氣相沉積法制備鈀的薄膜或薄層材料，他們選用分解溫度很低的金屬有機化合物作為沉積鈀的源物質(zhì)，他們是:-[β-酮] pd(ⅱ)、pd(η3 -c 3 h 5 )(η 5-c 5 h 5 )和 pd(η3-c 3 h 5 )(cf 3 cochcocf 3 )等。采用化學氣相沉積法可以制備高純度的鈀薄膜。

鍍膜設備

以下是制備的-條件：

在沉積溫度下，反應物具有足夠的蒸氣壓，并能以適當?shù)乃俣缺灰敕磻遥?/p>

反應產(chǎn)物除了形成固態(tài)薄膜物質(zhì)外，都必須是揮發(fā)性的；

沉積薄膜和基體材料必須具有足夠低的蒸氣壓。

cvd技術(shù)是作為涂層的手段而開發(fā)的，但不只應用于耐熱物質(zhì)的涂·層，而且應用于高純度金屬的精制、粉末合成、半導體薄膜等，是一個頗具特征的技術(shù)領(lǐng)域，光學真空鍍膜設備，其工藝成本具體而定。

pcvd的工藝裝置由沉積室、反應物輸送系統(tǒng)、放電電源、真空系統(tǒng)及檢測系統(tǒng)組成。氣源需用氣體凈化器除往水分和其它雜質(zhì)，經(jīng)調(diào)節(jié)裝置得到所需要的流量，再與源物質(zhì)同時被送進沉積室，鍍膜設備，在一定溫度和等離子體等條件下，得到所需的產(chǎn)物，并沉積在工件或基片表面。所以，pcvd工藝既包括等離子體物理過程，又包括等離子體化學反應過程。

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