---復(fù)合材料廠----復(fù)合材料-沈陽(yáng)東創(chuàng)---

而未米的0.18um}藝甚至0.13m工藝，所需要的靶材純度將要求達(dá)到5甚至6n以上。銅與鋁相比較，銅具有更高的抗電遷移能力及-的電阻率，能夠滿足！導(dǎo)體工藝在0.25um以下的亞微米布線的需要但卻帶米了其他的問題：銅與有機(jī)介質(zhì)材料的附著強(qiáng)度低．并且容易發(fā)生反應(yīng)，導(dǎo)致在使用過(guò)程中芯片的銅互連線被腐蝕而斷路。

為了解決以上這些問題，需要在銅與介質(zhì)層之間設(shè)置阻擋層。阻擋層材料一般采用高熔點(diǎn)、高電阻率的金屬及其化合物，因此要求阻擋層厚度小于50nm，-復(fù)合材料，與銅及介質(zhì)材料的附著性能-。銅互連和鋁互連的阻擋層材料是不同的．需要研制新的靶材材料。銅互連的阻擋層用靶材包括ta、w、tasi、wsi等．但是ta、w都是難熔金屬．制作相對(duì)困難，-復(fù)合材料廠，如今正在研究鉬、鉻等的臺(tái)金作為替代材料。

在-深加工產(chǎn)品這一領(lǐng)域，如何來(lái)提升-產(chǎn)品的技術(shù)含量和-，-納米技術(shù)、納米材料的科學(xué)研究，實(shí)踐應(yīng)用是這個(gè)產(chǎn)業(yè)向產(chǎn)業(yè)化發(fā)展的方向，成為當(dāng)代關(guān)注和競(jìng)爭(zhēng)的主要課題。

納米、（nm）納米技術(shù)、納米材料是當(dāng)代科技領(lǐng)域中的-名詞，已經(jīng)成為現(xiàn)實(shí)和潛在的-的應(yīng)用前景的納米銀線，已在山東、浙江、北京等地進(jìn)入人們的視野，并進(jìn)入國(guó)際市場(chǎng)，如果按照銀的當(dāng)前價(jià)7元/克計(jì)算的話，納米銀線的價(jià)格將是銀價(jià)的350倍以上。