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物-相沉積技術(shù)基本原理可分三個工藝步驟：
(1)鍍料的氣化：即使鍍料蒸發(fā)，異華或被濺射，也就是通過鍍料的氣化源。
(2)鍍料原子、分子或離子的遷移：由氣化源供出原子、分子或離子經(jīng)過碰撞后，顯示屏真空鍍膜設(shè)備，產(chǎn)生多種反應(yīng)。
(3)鍍料原子、分子或離子在基體上沉積。
認(rèn)識pvd物-相沉積技術(shù)
物-相沉積技術(shù)工藝過程簡單，對環(huán)境-，無污染，金屬真空鍍膜設(shè)備，耗材少，成膜均勻致密，與基體的結(jié)合力強(qiáng)。該技術(shù)廣泛應(yīng)用于航空航天、電子、光學(xué)、機(jī)械、建筑、輕工、冶金、材料等領(lǐng)域，可制備具有耐磨、耐腐飾、裝飾、導(dǎo)電、絕緣、光導(dǎo)、壓電、磁性、潤滑、超導(dǎo)等特性的膜層。
常壓化學(xué)氣相沉積（npcvd）或-壓下化學(xué)氣相沉積（apcvd）是在0.01—0.1mpa壓力下進(jìn)行，低壓化學(xué)氣相沉積（lpcvd）則在10-4 mpa下進(jìn)行。cvd或輝光放電cvd，是低壓cvd的一種形式，其優(yōu)點是可以在較低的基材溫度下獲得所希望的膜層性能。
cvd的進(jìn)一步發(fā)展是化學(xué)氣相浸漬（cvi） ，橡膠真空鍍膜設(shè)備，或稱化學(xué)氣相注入，在這種工藝中由多孔材料制成的物件被注入某種元素以強(qiáng)化基材性能。
等離子輔助cvd（pacvd），也稱為等離子活化cvd，等離子援助cvd，新北真空鍍膜設(shè)備，等離子增強(qiáng)cvd。
pcvd工藝參數(shù)包括微觀參數(shù)和宏觀參數(shù)。微觀參數(shù)如電子能量、等離子體密度及分布函數(shù)、反應(yīng)氣體的離解度等。宏觀參數(shù)對于真空系統(tǒng)有，氣體種類、配比、流量、壓強(qiáng)、抽速等；對于基體來說有，沉積溫度、相對位置、導(dǎo)電狀態(tài)等；對于等離子體有，放電種類、頻率、電極結(jié)構(gòu)、輸進(jìn)功率、電流密度、離子溫度等。以上這些參數(shù)都是相互聯(lián)系、相互影響的。
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