多晶硅報廢組件回收-報廢組件-振鑫焱拆卸組件價格

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擴(kuò)散工藝

擴(kuò)散目的

在來料硅片 p 型硅片的基礎(chǔ)上擴(kuò)散一層 n 型磷源，形成 pn 結(jié)。

擴(kuò)散原理

pocl 3 在高溫下 （ >; 600 ℃ ） 分解生成五- （ pcl 5 ） 和五氧化二磷 （ p 2 o 5 ）， 其反應(yīng)式如下 ：

5pocl 3=3pcl 5 +p 2 o 5

生成的 p 2 o 5 在擴(kuò)散溫度下與硅反應(yīng) ， 生成二氧化硅 （ sio 2 ） 和磷原子 ， 其反應(yīng)式如下 ：

2p 2 o 5+ 5si = 5sio 2  + 4ppocl 3

熱分解時，如果沒有外來的氧（ o 2 ）參與其分解是不充分的，生成的 pcl5 是不易分解的，并且對硅有腐蝕作用，破壞硅片的表面狀態(tài)。但在有外來 o2 存在的情況下， pcl 5 會進(jìn)一步分解成 p2o 5 并放出-（ cl 2 ）其反應(yīng)式如下：  

4pcl 5 +5o 2=2p 2 o 5 +10cl 2

生成的 p 2 o 5 又進(jìn)一步與硅作用，生成 sio 2 和磷原子，由此可見，在磷擴(kuò)散時，為了促使 pocl3 充分的分解和避免 pcl 5 對硅片表面的腐蝕作用，必須在通氮?dú)獾耐瑫r通入一定流量的氧氣。就這樣 pocl 3 分解產(chǎn)生的 p 2 o 5 淀積在硅片表面， p 2o 5 與硅反應(yīng)生成 sio 2 和磷原子，并在硅片表面形成一層磷 - 硅玻璃，然后磷原子再向硅中進(jìn)行擴(kuò)散。

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3、界定 

3.1鈍性豁口豁口樣子展現(xiàn)為沿邊沿輕緩銜接，并不是向管理中心深層次的情況。 

3.2v形豁口豁口樣子展現(xiàn)為向管理中心銳利深層次的樣子，相近英文字母“v”。 

4、規(guī)定 

4.1設(shè)計方案和構(gòu)造4.1.1pcb原材料充電電池的pcb原材料就是指單晶硅片或多晶硅片，應(yīng)合乎有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)的要求。 

4.1.2電級 

4.1.2.1電級圖型詳細(xì)電級圖型規(guī)格及樣子應(yīng)產(chǎn)成品詳盡標(biāo)準(zhǔn)中要求。4.1.2.2電級應(yīng)無掉色狀況（如-橡膠造成的掉色）。4.1.2.3電級的導(dǎo)電率應(yīng)產(chǎn)成品詳盡標(biāo)準(zhǔn)中要求。

4.1.2.4電級的可焊性應(yīng)產(chǎn)成品詳盡標(biāo)準(zhǔn)中要求。 

4.1.3鋁背場4.1.3.1選用鋁背場總體設(shè)計的充電電池，因?yàn)榉疵驿X膜造成的充電電池彎折形變應(yīng)產(chǎn)成品的詳盡標(biāo)準(zhǔn)中要求。 

4.1.3.2反面鋁膜與pcb原材料的粘附抗壓強(qiáng)度應(yīng)產(chǎn)成品的詳盡標(biāo)準(zhǔn)中要求。 

4.1.3.3反面鋁膜的突起高寬比應(yīng)產(chǎn)成品詳盡標(biāo)準(zhǔn)要求。鋁膜圖型詳細(xì)，圖型偏移應(yīng)產(chǎn)成品詳盡標(biāo)準(zhǔn)中要求。

4.1.3.4反面鋁膜的導(dǎo)電率應(yīng)產(chǎn)成品詳盡標(biāo)準(zhǔn)中要求。 

4.1.4減反射膜選用減反射膜設(shè)計方案構(gòu)造的充電電池，減反射膜與pcb原材料的粘附抗壓強(qiáng)度選用5.1.4要求的方式 開展檢驗(yàn)后，減反射膜不掉下來。 

4.1.5規(guī)格表1和表2要求了典型性充電電池的規(guī)格規(guī)定，別的充電電池的規(guī)格規(guī)格型號規(guī)定應(yīng)產(chǎn)成品詳盡標(biāo)準(zhǔn)中要求。