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制作光敏電阻的材料主要有硅、鍺、-1鎘、銻化銦、-鉛、-、-等。-1鎘光敏電阻對(duì)可見光敏感，用硫1化鎘單晶制造的光敏電阻對(duì)x射線、γ射線也敏感；-鉛和銻化銦對(duì)紅線外線光敏感。利用這些光敏電阻可以制成各種光探測(cè)器。感光面積大的光敏電阻，可以獲得較大的明暗電阻差。如國(guó)產(chǎn)625-a型-1鎘光敏電阻，�？诳諝饽�，其光照電阻小于50千歐，暗電阻大于50兆歐。2、光電二極管光電二極管的管芯也是一個(gè)pn結(jié)，只是結(jié)面積比普通二極管大，便于接收光線。

在硅中加入五價(jià)原子后稱之為n型半導(dǎo)體，加入三價(jià)原子后稱之為p型半導(dǎo)體。n型半導(dǎo)體及p型半導(dǎo)體雖然帶有自由電子或空穴但本身仍然保持電中性，空氣能公司，如果n型半導(dǎo)體及p型半導(dǎo)體內(nèi)雜質(zhì)濃度均勻分布則內(nèi)部沒有電場(chǎng)存在。若將n型半導(dǎo)體及p型半導(dǎo)體接和在一起，會(huì)因?yàn)閮蛇呑杂呻娮优c空穴的濃度不同產(chǎn)生擴(kuò)散。n型半導(dǎo)體中自由電子濃度較高，因此自由電子由n型半體向p型半導(dǎo)體擴(kuò)散，同樣的空穴會(huì)由p型半導(dǎo)體向n型半導(dǎo)體擴(kuò)散。

在負(fù)載rl中有電流流過，其電流大小取決于光電靶在該單元的電阻值大小。光照強(qiáng)處對(duì)應(yīng)阻值較小，流過負(fù)載rl的電流就較大，空氣能價(jià)格，因而rl兩端產(chǎn)生的壓降也就較大。負(fù)載電阻rl上形成電壓就是-管輸出的圖像信號(hào)。光電轉(zhuǎn)換過程（圖像的攝取過程）：被攝景物通過-機(jī)的光學(xué)鏡頭在光電靶上成像，被電子束將這幅圖像分解為像素，同時(shí)把各個(gè)像素的亮度轉(zhuǎn)變?yōu)樵谪?fù)載電阻rl上大小不同的電壓降，從而形成-管輸出信號(hào)。

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