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在硅中加入五價原子后稱之為n型半導(dǎo)體，加入三價原子后稱之為p型半導(dǎo)體。n型半導(dǎo)體及p型半導(dǎo)體雖然帶有自由電子或空穴但本身仍然保持電中性，如果n型半導(dǎo)體及p型半導(dǎo)體內(nèi)雜質(zhì)濃度均勻分布則內(nèi)部沒有電場存在。若將n型半導(dǎo)體及p型半導(dǎo)體接和在一起，會因為兩邊自由電子與空穴的濃度不同產(chǎn)生擴(kuò)散。n型半導(dǎo)體中自由電子濃度較高，因此自由電子由n型半體向p型半導(dǎo)體擴(kuò)散，海南太陽能，同樣的空穴會由p型半導(dǎo)體向n型半導(dǎo)體擴(kuò)散。

通過pn結(jié)將太陽能轉(zhuǎn)換為電能。太陽能電池對光電轉(zhuǎn)換材料的要求是轉(zhuǎn)換、能制成大面積的器件，以便-地吸收太陽光。已使用的光電轉(zhuǎn)換材料以單晶硅、多晶硅和非晶硅為主。用單晶硅制作的太陽能電池，酒店式太陽能熱水工程，轉(zhuǎn)換達(dá)20%，但其成本高，主要用于空間技術(shù)。多晶硅薄片制成的太陽能電池，雖然光電轉(zhuǎn)換效率不高（約10%），但價格低廉，已獲得大量應(yīng)用。此外，太陽能維修，化合物半導(dǎo)體材料、非晶硅薄膜作為光電轉(zhuǎn)換材料，太陽能價格，也得到研究和應(yīng)用。

只有當(dāng)光照射pn結(jié)時才能使耗盡層內(nèi)產(chǎn)生載流子(電子-空穴對)，載流子被結(jié)內(nèi)電場加速形成光電流。利用該原理制成的光電二極管稱為耗盡層光電二極管。耗盡層光電二極管有pin層、pn層、金屬-半導(dǎo)體型、異質(zhì)型等ccd(charge coupled device)即電荷耦合器件，通過輸入面上光電信號逐點的轉(zhuǎn)換、儲存和傳輸，在其輸出端產(chǎn)生一時序信號。隨著科技的進(jìn)步，ccd技術(shù)日臻完善，已廣泛用于安全防范、電視、工業(yè)、通信、遠(yuǎn)程教育、可視網(wǎng)絡(luò)1電話等領(lǐng)域。

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