鄂爾多斯路燈拆卸二手組件回收優(yōu)惠報(bào)價(jià)-振鑫焱光伏科技

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背電場：

a 級：

背電場完整，厚薄均勻，允許有缺失，缺失面積不超過背電場總面積的 5% ，變色面積不超過背電場面積的 15% 。

新的標(biāo)準(zhǔn)：背電場完整，厚薄均勻，不允許有缺失

b 級：

允許有缺失，缺失面積不超過背電場總面積的 10% ，變色面積不超過背電場面積的 30% 。

新的標(biāo)準(zhǔn)：允許有缺失，缺失面積不超過背電場總面積的 5% ，變色面積不超過背電場面積的 15% 。

c 級：

允許有缺失，缺失面積不超過背電場總面積的 10% ，變色面積不超過背電場面積的 50% 。

新的標(biāo)準(zhǔn)：缺失面積不超過背電場總面積的 5% ，變色面積不超過背電場面積的 50% 。

粗點(diǎn)：

a 級：

粗點(diǎn)寬度≤ 0.18mm ，個(gè)數(shù)小于 2 個(gè)

新的標(biāo)準(zhǔn)：不允許有粗點(diǎn)

b 級：

粗點(diǎn)寬度≤ 0.25mm ，個(gè)數(shù)小于 5 個(gè)

新的標(biāo)準(zhǔn)：允許有粗點(diǎn)，粗點(diǎn)寬度≤ 0.18mm ，個(gè)數(shù)小于 2 個(gè)

c  級：

粗點(diǎn)寬度≤ 0.3mm ，個(gè)數(shù)小于 8 個(gè)

新的標(biāo)準(zhǔn)：當(dāng)主柵線或副柵線有明顯粗細(xì)不均時(shí)，應(yīng)用刻度顯微鏡進(jìn)行查檢。

電池片各工藝流程危害要素及異�，F(xiàn)象 

4.naoh產(chǎn)生金字塔式絨面。naoh濃度值越高，金字塔式容積越小，反映前期，金字塔式成核相對密度類似沒受naoh濃度值危害，堿水溶液的腐蝕隨naoh濃度值轉(zhuǎn)變比較-，濃度值高的naoh水溶液與硅體現(xiàn)的速率加速，再反映過段時(shí)間后，金字塔式容積。naoh濃度值超出必須界線時(shí)，各向-系數(shù)縮小，絨面會(huì)愈來愈差，類似打磨拋光�？煽匦运�平：與ipa相近，線性度不高。 

5.na2sio3si和naoh反映生產(chǎn)制造的na2sio3和添加的na2sio3能具有緩沖劑的功效，使反映不會(huì)很-，變的輕緩。na2sio3使反映擁有大量的起始點(diǎn)，生長發(fā)育出的金字塔式更勻稱，更小一點(diǎn)兒na2sio3多的那時(shí)候要立即的排出去，na2sio3傳熱性差，會(huì)危害反映，水溶液的黏稠度也提升，非常容易產(chǎn)生水流、花藍(lán)印和表層黑斑�？煽匦运�平：沒辦法-。4酸洗鈍化hcl除去硅片表層的金屬材料殘?jiān)?具備酸和絡(luò)合劑的雙向功效，-鹽能與多種多樣金屬材料正離子產(chǎn)生可溶解與水的絡(luò)合物。6酸洗鈍化hf除去硅片表層空氣氧化層，sio26hf=h2[sif6]2h2o。 

基準(zhǔn)點(diǎn)1．減薄量界定：硅片制絨前后左右的前后左右凈重差。-范疇多晶硅125，硅片薄厚在200±25μm左右，減薄量在0.5±0.2g；硅片薄厚在200±25μm左右，減薄量在0.4±0.2g。多晶硅156，首籃減薄量在0.7±0.2g；之后減薄量在0.6±0.2g。2．絨面分辨規(guī)范：成核相對密度高，尺寸適度，勻稱。

-范疇：多晶硅：金字塔式規(guī)格3~10um。3．外型無豁口，黑斑，裂痕，激光切割線，刮痕，凹痕，有沒有白斑病，贓污。