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cmp技術(shù)的概念是1965年由manto提出。該技術(shù)是用于獲取高的玻璃表面,如望遠(yuǎn)鏡等。1988年ibm開始將cmp技術(shù)運用于4mdram 的制造中,三酸拋光銷售,而自從1991年ibm將cmp成功應(yīng)用到64mdram 的生產(chǎn)中以后,cmp技術(shù)在各地迅速發(fā)展起來。區(qū)別于傳統(tǒng)的純機(jī)械或純化學(xué)的拋光方法,cmp通過化學(xué)的和機(jī)械的綜合作用,三酸拋光價格,從而避免了由單純機(jī)械拋光造成的表面損傷和由單純化學(xué)拋光易造成的拋-度慢、表面平整度和拋光一致性差等缺點。它利用了磨損中的“軟磨硬”原理,即用較軟的材料來進(jìn)行拋光以實現(xiàn)高的表面拋光。
硅材料拋光液、藍(lán)寶石拋光液、拋光液、鈮酸鋰拋光液、鍺拋光液、集成電路多次銅布線拋光液、集成電路阻擋層拋光液、研磨拋光液、電解拋光液、不銹鋼電化學(xué)拋光液、不銹鋼拋光液、石材-納米拋光液、氧化鋁拋光液、銅化學(xué)拋光液、鋁合金拋光液、鏡面拋光液、銅拋光液、玻璃研磨液、藍(lán)寶石研磨液等,本品用于304、321、316、201、202、420、430等各種型號的不銹鋼電解拋光時使用,蕪湖三酸拋光,使用成本低,效果明顯,三酸拋光劑,可達(dá)鏡面光亮效果,不銹鋼拋光后光澤-、美觀大方、增加了產(chǎn)品的附加值。
化學(xué)拋光適用什么材料?工藝原理是如何的
化學(xué)拋光主要用不銹鋼、銅及銅合金等;瘜W(xué)拋光對鋼鐵零件,尤其是低碳鋼有較好的拋光效果,所以對于一些機(jī)械拋光時較為困難的鋼鐵零件,可采用化學(xué)拋光。
原理:化學(xué)拋光是靠化學(xué)試劑的化學(xué)浸蝕作用對樣品表面凹凸不平區(qū)域的選擇性溶解作用消除磨痕、浸蝕整平的一種方法;瘜W(xué)拋光設(shè)備簡單,能夠處理細(xì)管、帶有深孔及形狀復(fù)雜的零件,生產(chǎn)。化學(xué)拋光可作為電鍍預(yù)處理工序,也可在拋光后輔助以-的防護(hù)措施直接使用。
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