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主要分為一下幾類:
蒸發(fā)鍍膜、濺射鍍膜和離子鍍。
蒸發(fā)鍍膜:通過加熱蒸發(fā)某種物質(zhì)使其沉積在固體表面,稱為蒸發(fā)鍍膜。這種方法早由m.法拉第于1857年提出,現(xiàn)代已成為常用鍍膜技術(shù)之一。
蒸發(fā)物質(zhì)如金屬、化合物等置于坩堝內(nèi)或掛在熱絲上作為蒸發(fā)源,真空鍍膜加工廠,待鍍工件,如金屬、陶瓷、塑料等基片置于坩堝前方。待系統(tǒng)抽-真空后,加熱坩堝使其中的物質(zhì)蒸發(fā)。蒸發(fā)物質(zhì)的原子或分子以冷凝方式沉積在基片表面。薄膜厚度可由數(shù)百埃至數(shù)微米。
從蒸發(fā)源到基片的距離應(yīng)小于蒸氣分子在殘余氣體中的平均自由程,
以免蒸氣分子與殘氣分子碰撞引起化學作用。蒸氣分子平均動能約為0.1~0.2電子伏。
蒸發(fā)源有三種類型。電阻加熱源:用難熔金屬如鎢、鉭制成舟箔或絲狀,通以電流,加熱在它上方的或置于坩堝中的蒸發(fā)物質(zhì),電阻加熱源主要用于蒸發(fā)cd、
pb、ag、al、cu、cr、au、ni等材料。高頻感應(yīng)加熱源:用高頻感應(yīng)電流加熱坩堝和蒸發(fā)物質(zhì)。電子束加熱源:適用于蒸發(fā)溫度較高(不低于2000[618-1])的材料,塑膠真空鍍膜加工廠,即用電子束轟擊材料使其蒸發(fā)。
在真空中制備膜層,不銹鋼真空鍍膜加工,包括鍍制晶態(tài)的金屬、半導(dǎo)體、絕緣體等單質(zhì)或化合物膜。雖然化學汽相沉積也采用減壓、低壓或等離子體等真空手段,真空鍍膜加工,但一般真空鍍膜是指用物理的方法沉積薄膜。真空鍍膜有三種形式,即蒸發(fā)鍍膜、濺射鍍膜和離子鍍。
蒸發(fā)鍍膜 通過加熱蒸發(fā)某種物質(zhì)使其沉積在固體表面,稱為蒸發(fā)鍍膜。這種方法zui早由m.法拉第于1857年提出,現(xiàn)代已成為常用鍍膜技術(shù)之一。
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