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peakview是lorentz公司開發(fā)的一款-射頻ic電磁場驗證平臺,內(nèi)建豐富的無源器件模型庫,可以進行任意物理結構的器件綜合與優(yōu)化,全自動的高頻寄生電感提取流程,進行電磁場設計與分析。而且與pdk結合非常方便,用戶可以自己一鍵轉換工藝文件。
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-分類方式
我們先看一下-分類方式,在國際半導體的統(tǒng)計中,半導體產(chǎn)業(yè)只分成四種類型:集成電路,分立器件,傳感器和光電子。所有的國際半導體貿(mào)易中都是分成這四類。關于這四類,擼主原來寫過單獨一篇文章,請戳這里<分立器件,傳感器和光電子,這哥兒仨是什么鬼>。在這一期我們就簡單的說一下。
我們上面說的這四類可以統(tǒng)稱為半導體元件。其中集成電路(integrated circuit, 簡稱ic),又叫做芯片(chip),所以說集成電路,ic,芯片,chip這四個名字都是指一個東西。但是,在我們通常的-中,沒有分的這么清楚,他們會把半導體元件統(tǒng)統(tǒng)叫做集成電路(比如也會把分立器件也叫做ic,芯片),所以大家要根據(jù)前后文的意思來判斷文章想表達的是哪一類。
像蘋果a系列,高通驍龍系列,華為麒麟系列的芯片,晶體管數(shù)量達到了上億,幾十億的級別。但是分立器件中的晶體管數(shù)量就比較少,-情況下,一顆元件只有一個晶體管。比如很多公司生產(chǎn)的肖特基二極管,傳輸線設計,igbt,mems等等(當然mems現(xiàn)在也會和集成電路集成在一起,很多分立器件的晶體管也不是上圖這個樣子的)。
雖然這些分立器件的集成度低,但是他們也有一些優(yōu)點,比如適應的環(huán)境-,能夠滿足更高電壓的需求等等。
在 t-coil 的寬度應用中,除了上面對設計優(yōu)化的考慮外,一些 t-coil 自身問題也需要在
設計中關注并解決。
(1) 片上 t-coil 往往占據(jù)頂層金屬大量面積,而在頂層電源布線以及非常緊張了,
所以大面積的 t-coil 對頂層設計非常不利;同時,大面積的 t-coil 不僅影響面積
使用率,而且會產(chǎn)生大量功耗。如果不解決大面積 t-coil 問題,想利用 t-coil 設
計多個高速 io 口的想法將無法實現(xiàn)。
(2) t-coil 也存在-性問題。對于 esd 結構中的 t-coil 也涉及到 esd 電流路徑, tcoil 自身的串聯(lián)電阻會引起較低的 esd 抵抗力,高功耗會破壞 t-coil(尤其在 tcoil 的一些突變拐角處,很容易受到 esd 破壞)。另外,如果 io 電路在常規(guī)模式
是大電流情況時, t-coil 可能會由于電遷移導致破壞。為了提升 t-coil -性,
需要設計較寬的金屬走線,這又使得 t-coil 面積增加了。
下面幾個例子,討論如何提升 t-coil -性,同時又減小面積:
北京
上海
天津
重慶
河北
山西
內(nèi)蒙古
遼寧
吉林
黑龍江
江蘇
浙江
安徽
福建
江西
山東
河南
湖北
湖南
廣東
廣西
海南
四川
貴州
云南
西藏
陜西
甘肅
青海
寧夏
新疆
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