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齊齊哈爾混凝土抗裂纖維/供應(yīng)劉總熱線(xiàn)

齊齊哈爾混凝土抗裂纖維/供應(yīng)劉總熱線(xiàn)

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們性能好:導(dǎo)體材料的摻雜物(dopant)需視兩者的原子特性而定。一般而言,摻雜物依照其帶給被摻雜材料的電荷正負(fù)被區(qū)分為施主(donor)與受主(acceptor)。施主福安混凝土抗裂纖維/供應(yīng)18653874707劉經(jīng)理熱線(xiàn)/原子帶來(lái)的價(jià)電子(valence electrons)大多會(huì)與被摻雜的材料原子產(chǎn)生共價(jià)鍵,進(jìn)而被束縛。而沒(méi)有和被摻雜材料原子產(chǎn)生共價(jià)鍵的電子則會(huì)被施主原子微弱地束縛住,這個(gè)電子又稱(chēng)為施主電子。和本質(zhì)半導(dǎo)體的價(jià)電子比起來(lái),施主電子躍遷至傳導(dǎo)帶所需的能量較低,比較容易在半導(dǎo)體材料的晶格中移動(dòng),產(chǎn)生電流。海口混凝土抗裂纖維/供應(yīng)劉總熱線(xiàn)/雖然施主電子獲得能量會(huì)躍遷至傳導(dǎo)帶,但并不會(huì)和本質(zhì)半導(dǎo)體一樣留下一個(gè)電洞,施主原子在失去了電子后只會(huì)固定在半導(dǎo)體材料的晶格中現(xiàn)貨(內(nèi)蒙古鋼纖維劉總。因此這種因?yàn)閾诫s而獲得多余電子提供傳導(dǎo)的半導(dǎo)體稱(chēng)為n型半導(dǎo)體(n-type semiconductor),n代表帶負(fù)電荷的電子。和施主相對(duì)的,受主原子進(jìn)入半導(dǎo)體晶格后,因?yàn)槠鋬r(jià)電子數(shù)目比半導(dǎo)體原子的價(jià)電子數(shù)量少,等效上會(huì)帶來(lái)一個(gè)的空位凌源石膏線(xiàn)用玻璃纖維/供應(yīng)劉經(jīng)理18366625500熱線(xiàn)/,這個(gè)多出的空位即可視為電洞。受主摻雜后的半導(dǎo)體稱(chēng)為p型半導(dǎo)體(p-type semiconductor放入一個(gè)溫度約為2000 ℃,并且有碳源存在的電弧熔爐中,在高溫下,碳和沙石中的二氧化硅進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)(碳與氧結(jié)合,平?jīng)隹沽牙w維/供應(yīng)15069800444劉經(jīng)理熱線(xiàn)/剩下硅),得到純度約為98%的純硅,又稱(chēng)作冶金級(jí)硅,這對(duì)微電子器件來(lái)說(shuō)不夠純,因?yàn)榘雽?dǎo)體材料的電學(xué)永州抗裂纖維/供應(yīng)15066721115熱線(xiàn)/特性對(duì)雜質(zhì)的濃度非常敏感,因此對(duì)冶金級(jí)硅進(jìn)行進(jìn)一步提純:將粉碎的冶金雙鴨山混凝土抗裂纖維/供應(yīng)15966045225劉熱線(xiàn)/反應(yīng),生成液態(tài)的-,然后通過(guò)蒸餾和化學(xué)還原工藝,得到了高純度的多晶硅,其純度-99.999999999%,成為電子級(jí)硅。
接下來(lái)是單晶硅生長(zhǎng),常用的方法叫直拉法。如下圖所示,高純度的多晶硅放在石英坩堝中,并用外面圍繞著的石墨加熱器不斷加熱,溫度維持在大約1400 ℃,爐中的空氣通常是惰性氣體,使多晶硅熔化,同時(shí)又不會(huì)產(chǎn)生不需要的化學(xué)反應(yīng)。為了形成單晶硅,還需要控制晶體的方向:坩堝帶著多晶硅熔化物在旋轉(zhuǎn),把一顆籽晶浸入其中,并且由拉制棒帶著籽晶作反方向旋轉(zhuǎn),同時(shí)慢慢地、垂直地由硅熔化物中向上拉出。熔化的多晶硅會(huì)粘在籽晶的底端,按籽晶晶格排列的方向不斷地生長(zhǎng)上去。因此所生長(zhǎng)的晶體的方向性是由籽晶所決定的,在其被拉出和冷卻后),p代表帶正電荷的電洞
以一個(gè)硅的本質(zhì)半導(dǎo)體來(lái)說(shuō)明摻雜的影響。硅貴溪混凝土抗裂纖維/供應(yīng)15069800444劉經(jīng)理熱線(xiàn)/有四個(gè)價(jià)電子,常用于硅的摻雜物有三價(jià)與五價(jià)的元素。當(dāng)只有三個(gè)價(jià)電子的三價(jià)元素如硼(boron)摻雜至硅半導(dǎo)體中時(shí),硼扮演的即是受主的角色,摻雜了硼的硅半導(dǎo)體就是p型半導(dǎo)體。反過(guò)來(lái)說(shuō),如果五價(jià)元素如磷(phosphorus)摻興化抗裂纖維/供應(yīng)15966045225劉熱線(xiàn)/雜至硅半導(dǎo)體時(shí),磷扮演施主的角色,摻雜磷的硅半導(dǎo)體成為n型半導(dǎo)體。
一個(gè)半導(dǎo)體材料有可能先后摻雜施主與受主,而如何決定此外質(zhì)半導(dǎo)體為n型或p型必須視摻雜后的半導(dǎo)體中,受主帶來(lái)的電洞濃度較高或是施主帶來(lái)的電子濃度較高,亦即何者為此固原石膏線(xiàn)用玻璃纖維/供應(yīng)15069800444劉經(jīng)理熱線(xiàn)/外質(zhì)半導(dǎo)體的“多數(shù)載子”(majority carrier)。和多數(shù)載子相對(duì)的是少數(shù)載子(minority carrier)。對(duì)于半導(dǎo)體元件的操作原理分析而言,少數(shù)載子在半導(dǎo)體中的行為有著非常
摻雜物濃度對(duì)于半導(dǎo)體直接的影響在于其載姜堰抗裂纖維/供應(yīng)劉總熱線(xiàn)/子濃度。在熱平衡的狀態(tài)下,一個(gè)未經(jīng)摻雜的本質(zhì)半導(dǎo)體,電子與電洞的濃度相等,如下列公式所示:
n=p=ni其中n是半導(dǎo)體內(nèi)的電子濃度、p則是半導(dǎo)體的電洞濃度,ni則是本質(zhì)半導(dǎo)體的載子濃度。ni會(huì)隨著材料或溫度的不同而改變。對(duì)于室溫下的硅而言,ni大約是1×1現(xiàn)貨(九江鋼纖維劉總0 cm。
通常摻雜濃度越高,半導(dǎo)體的導(dǎo)電性就會(huì)變得越好,原因是能進(jìn)入傳導(dǎo)帶的電子數(shù)量會(huì)隨著摻雜濃度提高而增加。摻雜濃度非常高的半導(dǎo)體會(huì)因?yàn)閷?dǎo)電性接近金屬而被廣泛應(yīng)用海南混凝土抗裂纖維/供應(yīng)13287646222劉熱線(xiàn)/在今日的集成電路制程來(lái)取代部份金屬。高摻雜濃度通常會(huì)在n或是p后面附加一上標(biāo)的“+”號(hào),例如n代表?yè)诫s濃度非常高的n型半導(dǎo)體,反之例如p則代表輕摻雜的p型半導(dǎo)體。需要-說(shuō)明的是即使摻雜濃度已經(jīng)高到讓半導(dǎo)體“退化”(degenerate)為導(dǎo)體,摻雜物的濃度和原本的半導(dǎo)體原子濃度比起來(lái)還是差距非常大。以一個(gè)有晶格結(jié)構(gòu)的硅本質(zhì)半導(dǎo)體而言,原日喀則混凝土抗裂纖維/供應(yīng)劉總熱線(xiàn)/子濃度大約是5×10 cm,而一般集成電路制程里的摻雜濃度約在10 cm至10 cm之間。摻雜濃度在10 cm以上的半導(dǎo)體在室溫下通常就會(huì)被視為是一個(gè)“簡(jiǎn)并半導(dǎo)體”(degenerated semiconductor)。重冷水江混凝土抗裂纖維/供應(yīng)15966045225劉熱線(xiàn)/摻雜的半導(dǎo)體中,摻雜物和半導(dǎo)體原子的濃度比約是千分之一,而輕摻雜則可能會(huì)到十億分之一的比例。在半導(dǎo)體制程中,摻雜濃度都會(huì)依照所制造出元件的需求-,以合于使用者的需求。
摻雜對(duì)結(jié)構(gòu)的影響導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和絕緣體之間的材料。我們知道,電路之所以具有某種功能,主要是因?yàn)槠鋬?nèi)部有電流的各種變化,而之所以形成電流,主要是因馬鞍山混凝土抗裂纖維/供應(yīng)18653874707劉經(jīng)理熱線(xiàn)/為有電子在金屬線(xiàn)路和電子元件之間流動(dòng)(運(yùn)動(dòng)/遷移)。所以,電子在材料中運(yùn)動(dòng)的難易程度,決定了其導(dǎo)電性能。常見(jiàn)的金屬材料在常溫下電子就很容易獲得能量發(fā)生運(yùn)動(dòng),因此其導(dǎo)電性能好;絕緣體由于其材料本身特性,電子很難獲得導(dǎo)電所需能量,其內(nèi)部很少電子可以遷移,因此幾乎不導(dǎo)電。而半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電特性則介于這兩者之間,并且可以通過(guò)摻入雜質(zhì)黔東南石膏線(xiàn)用玻璃纖維/供應(yīng)18653874707劉經(jīng)理熱線(xiàn)/來(lái)改變其導(dǎo)電性能,人為控制它導(dǎo)電或者不導(dǎo)電以及導(dǎo)電的容易程度。這一點(diǎn)稱(chēng)之為半導(dǎo)體的可摻雜特性。
前面說(shuō)過(guò),集成電路的基礎(chǔ)是晶體管,發(fā)明了晶體管才有可能創(chuàng)造出集成電路,而晶體管的基礎(chǔ)則是半導(dǎo)體,因此半導(dǎo)體也是集成電路的基礎(chǔ)。半導(dǎo)體之于集成電路黑龍江石膏線(xiàn)用玻璃纖維/供應(yīng)15069800444劉經(jīng)理熱線(xiàn)/,如同土地之于城市。很明顯,山地、丘陵多者不適合建造城市,沙化土壤、石灰?guī)r多的地方也不適合建造城市。“建造”城市需要選一塊好地,“集成”電路也需要一塊合適的基礎(chǔ)材料——就是半導(dǎo)體。常見(jiàn)的半導(dǎo)體材料漳平抗裂纖維/供應(yīng)18763820005熱線(xiàn)/其中應(yīng)用廣的、商用化成功的當(dāng)推“硅”。
那么半導(dǎo)體,-是硅,為什么適合制造集成電路呢?有多方面的原因。硅是地殼中豐富的元素,僅次于氧。自然界中的巖石、砂礫等存在大量硅酸鹽或二氧化硅,這是原料成本方面的原因。硅的可摻雜特性容易控制,容易制造出符合要求的晶體管,這是電路原理方面的原因。硅經(jīng)-化所形成阜新混凝土抗裂纖維/供應(yīng)15069800444熱線(xiàn)/的二氧化硅性能穩(wěn)定,能夠作為半導(dǎo)體器件中所需的優(yōu)良的絕緣膜使用,這是器件結(jié)構(gòu)方面的原因。關(guān)鍵的一點(diǎn)還是在于集成電路的平面工藝,硅更容易實(shí)施氧化、光刻、擴(kuò)散等工藝,更方便集成,其性能更容易得雅安石膏線(xiàn)用玻璃纖維/供應(yīng)13127281010劉總熱線(xiàn)/到控制。因此后續(xù)主要介紹的也是基于硅的集成電路知識(shí),對(duì)硅晶體管和集成電路工藝有了解后,會(huì)更容易理解這個(gè)問(wèn)題。
除了可摻雜性之外,半導(dǎo)體還具有熱敏性、光敏性、負(fù)電阻率溫度、可整流等幾個(gè)特性,因此半導(dǎo)體材料除了用于制造-集成電路之外,還可以用于功率器件、光電器件、壓力傳感
摻雜之后的半導(dǎo)體能帶會(huì)有所改變。依照摻雜物的不同,本質(zhì)半導(dǎo)體的能隙之間會(huì)出現(xiàn)不同的能階。施主原子會(huì)在靠近傳導(dǎo)帶的地方產(chǎn)生一個(gè)新的能階,而受主原子則是在靠現(xiàn)貨(鎮(zhèn)江玻璃纖維電話(huà)15163800202近價(jià)帶的地方產(chǎn)生新的能階。假設(shè)摻雜硼原子進(jìn)入硅,則因?yàn)榕鸬哪茈A到硅的價(jià)帶之間僅有0.045電子伏特,遠(yuǎn)小于硅本身的能隙1.12電子伏特,所以在室溫下就可以使摻雜到硅里的硼原子完全解離化(ionize)。
摻雜物對(duì)于能帶結(jié)構(gòu)的另一個(gè)重大影響是改變離石石膏線(xiàn)用玻璃纖維/供應(yīng)劉經(jīng)理15069800444熱線(xiàn)/了費(fèi)米能階的位置。在熱平衡的狀態(tài)下費(fèi)米能階依然會(huì)保持定值,這個(gè)特性會(huì)引出很多其他有用的電特性。舉例來(lái)說(shuō),一個(gè)p-n接面(p-n junction)的能帶會(huì)彎折,起因是原本p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體的費(fèi)米能階位置各不相同,但是形成p-n接面后其費(fèi)米能階必須保持在同樣的高度,造成無(wú)論是p型或是n型半導(dǎo)體的傳導(dǎo)帶或價(jià)帶都會(huì)被彎曲以配合接面處的能帶差異。
上述的效應(yīng)可以用能帶圖(band diagram)來(lái)解運(yùn)城石膏線(xiàn)用玻璃纖維/供應(yīng)15066721115熱線(xiàn)/釋?zhuān)。在能帶圖里橫軸代表位置,縱軸則是能量。圖中也有費(fèi)米能階,半導(dǎo)體的本質(zhì)費(fèi)米能階(intrinsic fermi level)通常以ei來(lái)表示。在解
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