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x射線測(cè)定應(yīng)力具有非破壞性,可測(cè)小范圍局部應(yīng)力,可測(cè)表層應(yīng)力,可區(qū)別應(yīng)力類型、測(cè)量時(shí)無(wú)需使材料處于無(wú)應(yīng)力狀態(tài)等優(yōu)點(diǎn) 便攜式x射線衍射儀,但其測(cè)量-度受組織結(jié)構(gòu)的影響較大,x射線也難以測(cè)定動(dòng)態(tài)瞬時(shí)應(yīng)力。
單晶取向的測(cè)定就是找出晶體樣品中晶體學(xué)取向與樣品外坐標(biāo)系的位向關(guān)系。雖然可以用光學(xué)方法等物理方法確定單晶取向 便攜式x射線衍射儀,但x衍射法不僅可以-地單晶定向 便攜式x射線衍射儀訂購(gòu),同時(shí)還能得到晶體內(nèi)部微觀結(jié)構(gòu)的信息。一般用勞埃法單晶定向 便攜式x射線衍射儀(xrd)t,其根據(jù)是底片上勞埃斑點(diǎn)轉(zhuǎn)換的極射赤面投影與樣品外坐標(biāo)軸的極射赤面投影之間的位置關(guān)系。透射勞埃法只適用于厚度小且吸收系數(shù)小的樣品;背射勞埃法就無(wú)需-制備樣品,樣品厚度大小等也不受-,因而多用此方法 。
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