2014年電子工程用高純---市場運(yùn)營分析及投資商機(jī)研究報告

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報告編號：91842
關(guān) 鍵 字：高純-
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報告目錄
-章 半導(dǎo)體、光伏產(chǎn)業(yè)用高純-概述
1.1 高純-簡介
1.2 高純-的主要基本性能與指標(biāo)
1.3 高純-的主要應(yīng)用領(lǐng)域
1.4 高純-在發(fā)展我國電子工業(yè)中的重要作用

第二章 電子特種氣體及其應(yīng)用市場
2.1 電子特種氣體概述
2.2 電子特種氣體制造中的主要技術(shù)方面
2.3 電子特種氣體的純凈度要求
2.4 電子特種氣體產(chǎn)品市場競爭的焦點(diǎn)問題
2.4.1 對電子特種氣體雜質(zhì)、純度要求的問題
2.4.2 氣體配送及供應(yīng)問題
2.4.3 儲存、使用中的安全性問題
2.4.4 成本性問題
2.5 -電子特種氣體行業(yè)發(fā)展概述
2.5.1 -電子特種氣體生產(chǎn)與市場情況
2.5.2 國內(nèi)電子特種氣體行業(yè)及其發(fā)展

第三章 高純-氣體性能指標(biāo)及制備、凈化的工藝路線
3.1 高純-的性能指標(biāo)
3.2 高純-工業(yè)化制備的典型工藝路線
3.2.1 制備工藝法概述
3.2.2 -合金法制備-
3.2.2.1 工藝過程
3.2.2.2 主要反應(yīng)
3.2.2.3 工藝特點(diǎn)
3.2.2.4 工藝法存在的問題
3.2.3 -氫硅還原法制備-
3.2.3.1 工藝過程
3.2.3.2 主要反應(yīng)
3.2.3.3 工藝特點(diǎn)
3.2.3.4 工藝法存在的問題
3.2.4 四-硅還原法制備-
3.2.4.1 工藝過程
3.2.4.2 主要反應(yīng)
3.2.4.3 工藝特點(diǎn)
3.2.4.4 工藝法存在的問題
3.2.5 氯-歧化法制備-
3.2.5.1 工藝過程
3.2.5.2 主要反應(yīng)
3.2.5.3 工藝特點(diǎn)
3.2.5.4 工藝法存在的問題
3.2.6 烷--歧化法
3.2.6.1 工藝過程
3.2.6.2 主要反應(yīng)
3.2.6.3 工藝特點(diǎn)
3.2.6.4 工藝法存在的問題
3.3 高純-氣體的凈化工藝路線
3.3.1 氣體的凈化方法概述
3.3.2 高純-的凈化過程
3.4 工業(yè)高純-氣體的包裝及貯運(yùn)

第四章 -高純-生產(chǎn)與主要企業(yè)現(xiàn)況
4.1 高純-產(chǎn)銷、市場規(guī)模的概況
4.2 國外高純-主要生產(chǎn)企業(yè)產(chǎn)銷情況
4.3 國外高純-主要生產(chǎn)企業(yè)簡況
4.3.1 rec silicon公司
4.3.2 dowcorning公司
4.3.3 sodiff新素材有限公司
4.3.4 memc公司
4.3.5 air liquid公司
4.3.6 日本電氣工業(yè)公司
4.3.7 大陽日酸公司
4.3.8 evonik industries公司
4.4 國內(nèi)-業(yè)的發(fā)展概述
4.4.1 我國高純-業(yè)發(fā)展的概述
4.4.2 我國-研發(fā)、生產(chǎn)的歷史
4.5 國內(nèi)高純-生產(chǎn)企業(yè)現(xiàn)況
4.5.1 國內(nèi)高純-生產(chǎn)企業(yè)總述
4.5.2 浙江中寧硅業(yè)有限公司
4.5.3 浙江賽林硅業(yè)有限公司
4.5.4 滁州市硅谷特種氣體有限公司
4.5.5 六九硅業(yè)有限公司
4.5.6 浙江金華美晶硅電子有限公司
4.5.7 黑龍江金業(yè)電子氣體股份有限公司
4.5.8 深圳市金業(yè)長健新材料股份有限公司

第五章 高純-主要應(yīng)用領(lǐng)域的概述
5.1 高純-在集成電路中的應(yīng)用
5.1.1 集成電路芯片制程
5.1.2 化學(xué)氣相沉積和氣體應(yīng)用
5.1.3 高純-在化學(xué)氣相沉積中作為氣源形成的薄膜
5.2 高純-在薄膜硅太陽電池中的應(yīng)用
5.2.1 非晶硅薄膜太陽能電池
5.2.2 si薄膜的材料特性
5.2.3 非晶硅薄膜太陽能電池制作工藝及高純-其應(yīng)用
5.3 高純-在液晶顯示器中的應(yīng)用
5.4 高純-在其它領(lǐng)域的應(yīng)用
5.4.1 在特種玻璃制造中的應(yīng)用
5.4.2 在電子部件制造中的應(yīng)用
5.4.3 在化合物半導(dǎo)體材料制造中的應(yīng)用
5.4.4 在化合物半導(dǎo)體材料制造中的應(yīng)用
5.4.5 在-、航天產(chǎn)品中作為氣體燃料得到應(yīng)用
5.5 高純-在電子信息產(chǎn)品中各應(yīng)用市場需求量的-

第六章 高純-主要應(yīng)用市場之一—集成電路產(chǎn)業(yè)的現(xiàn)況與趨勢
6.1 半導(dǎo)體硅片生產(chǎn)與市場發(fā)展
6.1.1 半導(dǎo)體生產(chǎn)的現(xiàn)況
6.1.2 半導(dǎo)體硅片的生產(chǎn)狀況
6.2 我國半導(dǎo)體晶圓生產(chǎn)與市場現(xiàn)況與發(fā)展
6.2.1 我國集成電路市場、產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀
6.2.2 我國集成電路晶圓制造業(yè)情況

第七章 高純-主要應(yīng)用市場之二 —薄膜太陽能電池產(chǎn)業(yè)的現(xiàn)況與趨勢
7.1 -光伏產(chǎn)業(yè)的發(fā)展
7.1.1 光伏產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展
7.1.2 我國光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展環(huán)境與現(xiàn)況
7.2 薄膜太陽能電池的生產(chǎn)與市場
7.2.1 薄膜太陽能電池特點(diǎn)及品種
7.2.2 薄膜太陽能電池未來市場發(fā)展前景
7.2.3 薄膜太陽能電池生產(chǎn)及在光伏市場上的份額變化
7.3 -薄膜太陽能電池的主要生產(chǎn)企業(yè)

第八章 高純-主要應(yīng)用市場之三 —液晶顯示器產(chǎn)業(yè)的現(xiàn)況與趨勢
8.1 平板顯示器產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)況
8.2 我國平板顯示器產(chǎn)業(yè)現(xiàn)況與未來發(fā)展預(yù)測
8.2.1 我國液晶顯示產(chǎn)業(yè)發(fā)展概述
8.2.2 我國lcd面板生產(chǎn)現(xiàn)況與未來幾年發(fā)展預(yù)測
8.2.3 我國發(fā)展平板顯示產(chǎn)業(yè)的相關(guān)政策及未來發(fā)展的預(yù)測、分析

圖1-1 高純-結(jié)構(gòu)圖
圖1-2 工業(yè)化的高純-產(chǎn)品實物
圖2-1 半導(dǎo)體制造業(yè)用特種氣體按其使用時的特性分類情況
圖2-2 典型半導(dǎo)體晶元工廠的電子特種氣體供應(yīng)系統(tǒng)流程圖
圖2-3 全球半導(dǎo)體工業(yè)用主要幾種高純度氣體的市場規(guī)模變化情況
圖3-1 吸附法提純-的流程示意
圖4-1 近年的高純-產(chǎn)銷量
圖4-2 2011年主要高純-生產(chǎn)企業(yè)市場份額推估
圖4-3 2009年～2012年主要高純-生產(chǎn)地區(qū)的產(chǎn)銷量比例變化
圖4-4 2011年高純-產(chǎn)品在各個主要應(yīng)用市場中的產(chǎn)銷量比例統(tǒng)計
圖4-5 rec硅材料公司設(shè)在華盛頓州的高純-及多晶硅生產(chǎn)廠
圖5-1 ic硅片制造前工程的過程
圖5-2 各種cvd法反應(yīng)裝置的原理
圖5-3 化學(xué)氣相沉積通常包括的八個主要步驟
圖5-4 化學(xué)氣相沉積過程中的傳輸、反應(yīng)和成膜的過程示意圖
圖5-5 dram中使用的各種薄膜
圖5-6 邏輯lsi中使用的各種薄膜
圖5-7 si基薄膜的種類、特征及晶體結(jié)構(gòu)
圖5-8 si基薄膜太陽能電池的基本結(jié)構(gòu)
圖5-9 非晶硅薄膜太陽能電池制作工藝過程
圖5-10 采用pecvo 形成si薄膜的制作
圖5-11 tft 陣列構(gòu)成及sih4在其中的應(yīng)用
圖5-12 等離子體cvd加工工序及sih4等電子特氣在其的供應(yīng)系統(tǒng)
圖5-13 所示了采用等離子體cvd法制作tft陣列的實際裝備例
圖5-14 高純-產(chǎn)品在四大應(yīng)用市場領(lǐng)域所占的市場需求量的份額變化
圖6-1 2004-2014全球半導(dǎo)體市場規(guī)模和年增幅
圖6-2 不同直徑尺寸硅片市場發(fā)展趨勢
圖6-3 2001-2013年全球硅片出貨量變化率
圖6-4 2001-2010全球硅片銷售收入變化率
圖6-5 全球硅片出貨量按尺寸計預(yù)測
圖6-6 2006～2013年我國半導(dǎo)體及集成電路產(chǎn)銷情況
圖6-7 2005-2013年我國集成電路晶圓業(yè)發(fā)展規(guī)模
圖7-1 2013年全球光伏市場構(gòu)成
圖7-2 2004-2013年太陽能電池產(chǎn)量
圖7-3 2006~2013年及我國光伏年裝機(jī)量
圖7-4 2007-2014年薄膜太陽能電池產(chǎn)能統(tǒng)計及預(yù)測
圖7-5 2009-2014年薄膜太陽能電池產(chǎn)量統(tǒng)計及預(yù)測
圖8-1 2008年-2014年液晶顯示器面板出貨量統(tǒng)計及預(yù)測
圖8-2 2004-2013年平板電視在主要、地區(qū)的普及情況
圖8-3 2005～2014年我國lcd面板的市場規(guī)模統(tǒng)計、預(yù)測
圖8-4 我國tft-lcd面板的產(chǎn)能統(tǒng)計及未來幾年發(fā)展預(yù)測
圖8-5 2005年2014年我國tft-lcd面板各代線在國內(nèi)總產(chǎn)能的比例變化

表1-1 高純氣體的種類
表2-1 電子特種氣體的主要品種及分類
表2-3 國外主要大型電子特氣企業(yè)在-生產(chǎn)工藝路線及所達(dá)到純度的情況
表3-1 國外半導(dǎo)體、光伏用高純-的主要性能指標(biāo)
表3-2 幾種高純-工業(yè)化制備的典型工藝法的特點(diǎn)
表3-3 -及雜質(zhì)氫化物的沸點(diǎn)和相對分子
表4-1 2009～2012年全高純-主要生產(chǎn)廠家在市場所占份額
表5-1 集成電路生產(chǎn)中采用cvd形成各種薄膜所使用氣體源的情況
表6-1 2013年主要大型半導(dǎo)體廠家的銷售收入統(tǒng)計
表6-2 2002～2013年硅片出貨量及銷售收入情況
表6-3 semi對硅片的出貨量的統(tǒng)計及預(yù)測
表6-4 硅片尺寸、要求與所對應(yīng)的集成電路工藝技術(shù)的發(fā)展
表6-5 2013年國內(nèi)-集成電路和分立器件制造企業(yè)列表
表6-6 2006～2013年我國國內(nèi)半導(dǎo)體級晶圓產(chǎn)量變化統(tǒng)計
表6-7 我國集成電路晶圓制造業(yè)在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中占有的比重情況
表6-8 2000年-2013年我國晶圓生產(chǎn)線建線增長情況
表6-9 我國集成電路晶圓制造6英寸以上生產(chǎn)線產(chǎn)能和工藝技術(shù)水平情況
表7-1 2007-2013年我國太陽能電池出口情況
表7-2 2007-2013年我國太陽能電池進(jìn)口情況
表7-3 近幾年全球薄膜太陽能電池產(chǎn)量及市場份額
表7-4 國外主要薄膜太陽能電池生產(chǎn)廠家
表7-5 -薄膜太陽能電池生產(chǎn)廠家情況
表7-6 我國國內(nèi)薄膜太陽能電池生產(chǎn)廠家的情況
表8-1 lcd中下游市場的劃分
表8-2 全球平板顯示器在不同應(yīng)用的需求市場的規(guī)模
表8-3 2014年全g5以上tft-lcd產(chǎn)能比較
表8-4 我國tft-lcd液晶面板線分布（至2013年底）

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