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初級(jí)側(cè)開關(guān)導(dǎo)通的時(shí)間可以與這些振蕩的低壓谷對齊 由于開關(guān)損耗與漏極電壓的平方成正比,因此以這種準(zhǔn)諧振方式進(jìn)行開關(guān)可在初級(jí)側(cè)開關(guān)處產(chǎn)生的損耗 此操作的漏極電壓波形如圖3所示 使用準(zhǔn)諧振開關(guān)、硅初級(jí)側(cè)mosfet和次級(jí)側(cè)同步mosfet的反激式轉(zhuǎn)換器的效率為額定負(fù)載時(shí)效率的約91%


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