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作為我國(guó)實(shí)施制造強(qiáng)國(guó)戰(zhàn)略-個(gè)十年的行動(dòng)綱領(lǐng),<制造2025>對(duì)于半導(dǎo)體設(shè)備國(guó)產(chǎn)化提出了明確要求:在2020年之前,90~32納米工藝設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率達(dá)到50,實(shí)現(xiàn)90納米光刻機(jī)國(guó)產(chǎn)化,封測(cè)關(guān)鍵設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率達(dá)到50。在2025年之前,20~14納米工藝設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率達(dá)到30,實(shí)現(xiàn)浸沒(méi)式光刻機(jī)國(guó)產(chǎn)化。到2030年,實(shí)現(xiàn)18英寸工藝設(shè)備、euv光刻機(jī)、封測(cè)設(shè)備的國(guó)產(chǎn)化。從產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)國(guó)產(chǎn)化的難度來(lái)看,制造設(shè)備
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