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干法氧化通常用來形成,晶圓,柵極二氧化硅膜,st系列晶圓回收,要求薄,k9系列晶圓回收,界面能級(jí)和固定電荷密度低的薄膜。干法氧化成膜速度慢于濕法。濕法氧化通常用來形成作為器件隔離用的比較厚的二氧化硅膜。
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濺鍍-層金屬利用光刻技術(shù)留出金屬接觸洞,濺鍍鈦+ 氮化鈦+ 鋁+ 氮化鈦等多層金屬膜。離子刻蝕出布線結(jié)構(gòu),并用pecvd 在上面沉積一層sio2 介電質(zhì)。。并用sog (spin on glass) 使表面平坦,加熱去除sog 中的溶劑。然后再沉積一層介電質(zhì),為沉積第二層金屬作準(zhǔn)備。
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