晶圓、磅礴電子、tc58系列晶圓

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當(dāng)sio2膜較薄時(shí)，晶圓，膜厚與時(shí)間成正比。sio2膜變厚時(shí)，膜厚與時(shí)間的平方根成正比。因而，要形成較厚sio2膜，需要較長(zhǎng)的氧化時(shí)間。sio2膜形成的速度取決于經(jīng)擴(kuò)散穿過(guò)sio2膜到達(dá)硅表面的o2及oh基等氧化劑的數(shù)量的多少。

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