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變?nèi)荻䴓O管(varactor diodes)為特殊二極管的一種。當外加順向偏壓時,有大量電-生,pn(正負極)結(jié)的耗盡區(qū)變窄,電容變大,產(chǎn)生擴散電容效應;當外加反向偏壓時,則會產(chǎn)生過渡電容效應。但因加順向偏壓時會有漏電流的產(chǎn)生,所以在應用上均供給反向偏壓。
變?nèi)荻䴓O管也稱為壓控變?nèi)萜鳎歉鶕?jù)所提供的電壓變化而改變結(jié)電容的半導體。也就是說,作為可變電容器,可以被應用于fm調(diào)諧器及tv調(diào)諧器等諧振電路和fm調(diào)制電路中。
一)普通二極管的檢測(包括檢波二極管、整流二極管、阻尼二極管、開關二極管、續(xù)流二極管)是由一個pn結(jié)構(gòu)成的半導體器件,具有單向?qū)щ娞匦。通過用萬用表檢測其正、反向電阻值,可以判別出二極管的電極,還可估測出二極管是否損壞。
1.極性的判別將萬用表置于r×100檔或r×1k檔,兩表筆分別接二極管的兩個電極,測出一個結(jié)果后,對調(diào)兩表筆,再測出一個結(jié)果。兩次測量的結(jié)果中,有一次測量出的阻值較大(為反向電阻),一次測量出的阻值較。檎螂娮瑁。在阻值較小的一次測量中,黑表筆接的是二極管的正極,紅表筆接的是二極管的負極。
2.單負導電性能的檢測及好壞的判斷通常,鍺材料二極管的正向電阻值為1kω左右,反向電阻值為300左右。硅材料二極管的電阻值為5 kω左右,反向電阻值為∞(無窮大)。正向電阻越小越好,二極管,反向電阻越大越好。正、反向電阻值相差越懸殊,說明二極管的單向?qū)щ娞匦栽胶。 若測得二極管的正、反向電阻值均接近0或阻值較小,則說明該二極管內(nèi)部已擊穿短路或漏電損壞。若測得二極管的正、反向電阻值均為無窮大,則說明該二極管已開路損壞。
3.反向擊穿電壓的檢測二極管反向擊穿電壓(耐壓值)可以用晶體管直流參數(shù)測試表測量。其方法是:測量二極管時,應將測試表的“npn/pnp”選擇鍵設置為npn狀態(tài),貼片二極管,再將被測二極管的正極接測試表的“c”插孔內(nèi),負極插入測試表的“e”插孔,然后按下“v(br)”鍵,測試表即可指示出二極管的反向擊穿電壓值。 也可用兆歐表和萬用表來測量二極管的反向擊穿電壓、測量時被測二極管的負極與兆歐表的正極相接,將二極管的正極與兆歐表的負極相連,ll34二極管,同時用萬用表(置于合適的直流電壓檔)監(jiān)測二極管兩端的電壓。如圖4-71所示,搖動兆歐表手柄(應由慢逐漸加快),待二極管兩端電壓穩(wěn)定而不再上升時,此電壓值即是二極管的反向擊穿電壓。
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