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氮化硅物理性質(zhì):莫氏硬度9~9.5,維氏硬度約為2200,顯微硬度為32630mpa。熔點(diǎn)1900℃(加壓下)。通常在常壓下1900℃左右分解。比熱容0.71j/(g·k)。生成熱為-751.57kj/mol。熱導(dǎo)率為(2-155)w/(m·k)。線膨脹系數(shù)為2.8~3.2×10-6/℃(20~1000℃)。
氮化硅其他應(yīng)用:氮化硅還能應(yīng)用到太陽能電池中。用pecvd法鍍氮化硅膜后,不但能作為減反射膜可減小入射光的反射,氮化硅原料,而且,氮化硅,在氮化硅薄膜的沉積過程中,反應(yīng)產(chǎn)物氫原子進(jìn)入氮化硅薄膜以及硅片內(nèi),起到了鈍化缺陷的作用。
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