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處于熱平衡狀態(tài)下的半導體,在一定溫度下,載流子的濃度是一定的,稱為平衡載流子濃度, 如果對半導體施加外界作用,破壞了熱平衡的條件 切斷硅錠回收,稱為非平衡狀態(tài)。比平衡狀態(tài)多出來的這部分載流子稱為非平衡載流子。非平衡載流子分為非平衡多數(shù)載流子和非平衡少數(shù)載流子, 對于n型半導體材料,多出來的電子就是非平衡多數(shù)載流子,空穴則是非平衡少數(shù)載流子。對p型半導體材料則相反 拋光硅錠回收, 產(chǎn)生非平衡載流子的外界作用撤除以后,它們要逐漸衰減以致消失,-載流子濃度恢復到平衡時的值, 非平衡少數(shù)載流子的平均生存時間稱為非平衡少數(shù)載流子的壽命,簡稱少子壽命。
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