sd卡_晨歌電子_sd卡工廠

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第二代3d v-nand 閃存五大特點(diǎn)

近日，三星在isscc 2015 研討會(huì)中，發(fā)表了第二代 3d v-nand 的部分細(xì)節(jié)。簡爾言之，有五大特點(diǎn)。

一、容量提升

-代3d v-nand 128gbit的所需面積是133mm2 ，單位密度是.93gb/mm2.，第二代3d v-nand 128gbit僅需要68.9mm2，單位密度達(dá)到-的1.86gb/mm2，提升幅度相當(dāng)-。簡單來說sd卡和tf卡的容量在原有基礎(chǔ)上翻倍成為可能。

二、速度提升

傳統(tǒng)平面nand flash在達(dá)到一定程度的密度以后，每個(gè)單元蓄積的電荷量會(huì)下降 sd卡，另外相鄰的存儲(chǔ)器間也會(huì)產(chǎn)生電荷干涉，為了避免這些-，tlc 的寫入都會(huì)被拆分成二到三個(gè)階段，以進(jìn)行比較-的控制。3d v-nand 卻沒有傳統(tǒng) 平面會(huì)遇到的問題，因此傳統(tǒng)的多階段控制就不需施行， 三星透過了 hsp 技術(shù)將多階段程序的過程整合成一個(gè)，大幅縮減時(shí)間。

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